Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017004199) DISPOSITIFS THERMOÉLECTRIQUES ET SYSTÈMES D'ALIMENTATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/004199 N° de la demande internationale : PCT/US2016/040089
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 29.06.2016
CIB :
H01L 35/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
28
fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck
32
caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif
Déposants :
SHEETAK INC. [US/US]; 4020 S. Industrial Drive, Suite 100 Austin, TX 78744, US
Inventeurs :
GHOSHAL, Uttam; US
Mandataire :
CHANDRAN, Biju; US
Données relatives à la priorité :
62/186,08229.06.2015US
62/187,66101.07.2015US
Titre (EN) THERMOELECTRIC DEVICES AND POWER SYSTEMS
(FR) DISPOSITIFS THERMOÉLECTRIQUES ET SYSTÈMES D'ALIMENTATION
Abrégé :
(EN) A thermoelectric device may include first and second insulating substrates. An array of electrically conductive first metallizations may be positioned on one side of the first substrate, and an array of electrically conductive second metallizations may be positioned on a mating side of the second substrate. A plurality of thermoelectric elements may be positioned between the first and second substrates and interconnected together through the first and second metallizations in one of a square shaped network pattern or a delta shaped network pattern.
(FR) Un dispositif thermoélectrique peut comprendre des premier et second substrats isolants. Un réseau de premières métallisations électroconductrices peut être positionné sur un côté du premier substrat, et un réseau de secondes métallisations électroconductrices peut être positionné sur un côté homologue du second substrat. Une pluralité d'éléments thermoélectriques peuvent être positionnés entre les premier et second substrats et reliés entre eux par l'intermédiaire des premières et des secondes métallisations soit dans un motif de réseau en forme de carré soit dans un motif de réseau en forme de delta.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)