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1. (WO2017003959) TECHNIQUES DE LOCALISATION DE FILAMENTS, RÉDUCTION DE L'EFFET DE BORD, ET RÉDUCTION DE LA TENSION D'ÉCRITURE/COMMUTATION DANS LES DISPOSITIFS RRAM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/003959 N° de la demande internationale : PCT/US2016/039681
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 27.06.2016
CIB :
H01L 21/76 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01) ,H01L 29/40 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
PILLARISETTY, Ravi; US
MAJHI, Prashant; US
SHAH, Uday; US
MUKHERJEE, Niloy; US
KARPOV, Elijah; US
DOYLE, Brian; US
CHAU, Robert; US
Mandataire :
PARKER, Wesley E.; US
Données relatives à la priorité :
14/752,93427.06.2015US
Titre (EN) TECHNIQUES FOR FILAMENT LOCALIZATION, EDGE EFFECT REDUCTION, AND FORMING/SWITCHING VOLTAGE REDUCTION IN RRAM DEVICES
(FR) TECHNIQUES DE LOCALISATION DE FILAMENTS, RÉDUCTION DE L'EFFET DE BORD, ET RÉDUCTION DE LA TENSION D'ÉCRITURE/COMMUTATION DANS LES DISPOSITIFS RRAM
Abrégé :
(EN) The present disclosure provides a system and method for forming a resistive random access memory (RRAM) device. A RRAM device consistent with the present disclosure includes a substrate and a first electrode disposed thereon. The RRAM device includes a second electrode disposed over the first electrode and a RRAM dielectric layer disposed between the first electrode and the second electrode. The RRAM dielectric layer has a recess at a top center portion at the interface between the second electrode and the RRAM dielectric layer.
(FR) La présente invention concerne un système et un procédé pour former un dispositif de mémoire vive résistive (RRAM). Un dispositif RRAM conforme à la présente invention comprend un substrat et une première électrode disposée sur celui-ci. Le dispositif RRAM comprend une seconde électrode disposée sur la première électrode et une couche diélectrique RRAM disposée entre la première électrode et la seconde électrode. La couche diélectrique RRAM présente un évidement au niveau d'une partie centrale supérieure à l'interface entre la seconde électrode et la couche diélectrique RRAM.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
CN107636822KR1020180022835EP3320556