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1. (WO2017003698) CAPTEUR D'IMAGE CMOS À VRAISEMBLANCE RÉDUITE D'UN CHAMP ÉLECTRIQUE INDUIT DANS LA COUCHE ÉPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/003698 N° de la demande internationale : PCT/US2016/037722
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 16.06.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 10.11.2016
CIB :
H01L 21/30 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC [US/US]; Attn: Patent Group Docketing (Bldg. 8/1000) One Microsoft Way Redmond, Washington 98052-6399, US
Inventeurs :
ELKHATIB, Tamer; US
CHAN, Vei-Han; US
QIAN, William; US
AKKAYA, Onur Can; US
MEHTA, Swati; US
BAMJI, Cyrus; US
Mandataire :
MINHAS, Sandip; US
HILL, Justin; Olswang LLP 90 High Holborn London WC1V 6XX, GB
Données relatives à la priorité :
14/788,22430.06.2015US
Titre (EN) CMOS IMAGE SENSOR WITH A REDUCED LIKELIHOOD OF AN INDUCED ELECTRIC FIELD IN THE EPITAXIAL LAYER
(FR) CAPTEUR D'IMAGE CMOS À VRAISEMBLANCE RÉDUITE D'UN CHAMP ÉLECTRIQUE INDUIT DANS LA COUCHE ÉPITAXIALE
Abrégé :
(EN) A CMOS time-of-flight image sensor must be robust to interface traps and fixed charges which may be present due to fabrication and which may cause an undesired induced electric field in the silicon substrate. This undesired induced electrical field is reduced by introducing a hydrogen-enriched dielectric material. Further remedial techniques can include applying ultraviolet light and/or performing a plasma treatment. Another possible approach adds a passivation doping layer at a top of the detector as a shield against the undesired induced electric field. One or more of the above techniques can be used to prevent any unstable behavior of the time-of-flight sensor.
(FR) Selon la présente invention, un capteur d'image à temps de vol CMOS doit être robuste vis-à-vis de pièges d'interface et de charges fixes qui peuvent être présents en raison de la fabrication et qui peuvent causer un champ électrique induit indésirable dans le substrat en silicium. Selon l'invention, ce champ électrique induit indésirable est réduit par introduction d'un matériau diélectrique enrichi en hydrogène. D'autres techniques de remédiation peuvent comprendre l'application d'une lumière ultraviolette et/ou la réalisation d'un traitement au plasma. Une autre approche possible consiste à ajouter une couche de dopage de passivation au niveau d'une partie supérieure du détecteur à titre de blindage contre le champ électrique induit indésirable. Une ou plusieurs des techniques susmentionnées peuvent être utilisées pour empêcher tout comportement instable du capteur à temps de vol.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)