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1. (WO2017002854) CAPTEUR DE GAZ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/002854 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/069267
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 29.06.2016
CIB :
G01N 27/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
Déposants :
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
Inventeurs :
原田 直樹 HARADA, Naoki; JP
佐藤 信太郎 SATO, Shintaro; JP
林 賢二郎 HAYASHI, Kenjiro; JP
山口 淳一 YAMAGUCHI, Junichi; JP
Mandataire :
國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-13122930.06.2015JP
Titre (EN) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
(FR) CAPTEUR DE GAZ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ガスセンサ及びその使用方法
Abrégé :
(EN) The present invention includes: semiconductor layers (101-103); a graphene film (105) that is provided above the semiconductor layers (101-103), at least a section thereof coming into contact with a gas; and a barrier film (104) between the semiconductor layers (101-103) and the graphene film (105).
(FR) La présente invention comprend : des couches à semi-conducteur (101-103) ; un film de graphène (105) qui est prévu au-dessus des couches à semi-conducteur (101-103), au moins une section de celui-ci venant en contact avec un gaz ; et un film barrière (104) entre les couches à semi-conducteur (101-103) et le film de graphène (105).
(JA) 半導体層(101~103)と、半導体層(101~103)上方に設けられ、少なくとも一部が気体に接するグラフェン膜(105)と、半導体層(101~103)とグラフェン膜(105)との間のバリア膜(104)と、が含まれる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
CN107709979US20180136157