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1. (WO2017002445) ENSEMBLE DE CIBLES DE PULVÉRISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/002445 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/063552
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 02.05.2016
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203
en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
Déposants :
株式会社コベルコ科研 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP/JP]; 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通1丁目5番1号 1-5-1, Wakinohama-kaigan-dori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6510073, JP
Inventeurs :
高木 勝寿 TAKAGI, Katsutoshi; --
金丸 守賀 KANAMARU, Moriyoshi; --
廣瀬 研太 HIROSE, Kenta; --
岩崎 祐紀 IWASAKI, Yuki; --
Mandataire :
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-13096930.06.2015JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
(FR) ENSEMBLE DE CIBLES DE PULVÉRISATION
(JA) スパッタリングターゲット組立体
Abrégé :
(EN) Provided is a sputtering target assembly that includes a plurality of mounting sections which are disposed on a backing plate, which are disposed with a gap therebetween, and on each of which one or more sputtering target members are disposed via a bonding material. The sputtering target assembly has a Ni base material coating in gaps between the adjacent mounting sections.
(FR) L'invention concerne un ensemble de cibles de pulvérisation qui comprend une pluralité de sections de montage qui sont disposées sur une plaque de support, qui sont ménagées en laissant un espace entre elles, et sur chacune desquelles un ou plusieurs éléments formant cibles de pulvérisation sont disposés via un matériau de liaison. L'ensemble de cibles de pulvérisation comporte un revêtement dans une matière à base de Ni dans les espaces entre les sections de montage adjacentes.
(JA) バッキングプレート上に配置された複数の載置部であって、互いに間隔を空けて配置され、それぞれの上にボンディング材を介して、1つ以上のスパッタリングターゲット部材が配置された複数の載置部を含み、隣り合う前記載置部の間の隙間部にNi基材料のコーティングを有するスパッタリングターゲット組立体である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
CN107636194KR1020180012310