Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017002196) BOÎTE D'ADAPTATION ET PROCÉDÉ D'ADAPTATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/002196 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/068820
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 30.06.2015
CIB :
H05H 1/46 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H03H 7/40 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7
Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
38
Réseaux d'adaptation d'impédance
40
Adaptation automatique de l'impédance de charge à l'impédance de la source
Déposants :
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都港区西新橋二丁目15番12号 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
Inventeurs :
藤本 直也 FUJIMOTO Naoya; JP
加藤 規一 KATO Norikazu; JP
押田 善之 OSHIDA Yoshiyuki; JP
Mandataire :
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MATCHING BOX AND MATCHING METHOD
(FR) BOÎTE D'ADAPTATION ET PROCÉDÉ D'ADAPTATION
(JA) 整合器及び整合方法
Abrégé :
(EN) Provided is a matching box comprising the following: a directional coupler that detects traveling waves and reflected waves; a matching circuit having a first variable capacitance capacitor, a second variable capacitance capacitor, and inductance; and a control unit that calculates a reflection coefficient on the basis of the traveling waves and the reflected waves, and controls a capacitance value VC1 of the first variable capacitance capacitor and a capacitance value VC2 of the second variable capacitance capacitor, wherein the control unit changes VC2 if the distance between a matching circle drawn by the trajectory of the reflection coefficient passing through a matching point on a Smith chart, and the calculated reflection coefficient is greater than a prescribed value, and changes VC1 if such distance is set to be no greater than the prescribed value and when the value of such distance becomes no greater than the prescribed value, thereby reducing the reflection coefficient.
(FR) L'invention concerne une boîte d'adaptation comprenant les éléments suivants : un coupleur directionnel qui détecte des ondes progressives et des ondes réfléchies; un circuit d'adaptation ayant un premier condensateur à capacitance variable, un second condensateur à capacitance variable, et une inductance; et une unité de commande qui calcule un coefficient de réflexion sur la base des ondes progressives et des ondes réfléchies, et commande une valeur de capacité VC1 du premier condensateur à capacitance variable et une valeur de capacité VC2 du second condensateur à capacitance variable, laquelle unité de commande modifie VC2 si la distance entre un cercle d'adaptation tracé par la trajectoire du coefficient de réflexion passant par un point d'adaptation sur un diagramme de Smith, et lequel coefficient de réflexion calculé est supérieur à une valeur prescrite, et change VC1 si une telle distance est réglée pour ne pas être supérieure à la valeur prescrite et lorsque la valeur de ladite distance est inférieure ou égale à la valeur prescrite, ce qui permet de réduire le coefficient de réflexion.
(JA) 進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、第1の可変容量コンデンサと第2の可変容量コンデンサとインダクタンスとを有する整合回路と、進行波と反射波とに基づき反射係数を算出し第1の可変容量コンデンサの容量値VC1と前記第2の可変容量コンデンサの容量値VC2とを制御する制御部と、を備える整合器において、制御部は、スミスチャート上で整合点を通過する反射係数の軌跡が描く整合円と、算出された反射係数との間の距離が所定値より大きい場合は、VC2を変更して、前記距離を前記所定値以内とし、前記距離が前記所定値以内になると、VC1を変更して反射係数を小さくする。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020180010239JPWO2017002196US20180191324