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1. (WO2017000906) TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE À DOUBLE CANAL À ENRICHISSEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/000906 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/088062
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 01.07.2016
CIB :
H01L 29/778 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
Déposants :
THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [CN/CN]; Clear Water Bay, Kowloon Hong Kong, CN
Inventeurs :
CHEN, Jing; CN
WEI, Jin; CN
Mandataire :
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yeping DING 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
62/231,29401.07.2015US
Titre (EN) ENHANCEMENT-MODE DOUBLE-CHANNEL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE À DOUBLE CANAL À ENRICHISSEMENT
Abrégé :
(EN) Enhancement-mode (E-mode) double-channel (DC) HEMTs are provided. In one embodiment a semiconductor device is provided that includes a substrate and a heterostructure formed on the substrate. The heterostructure can include a lower channel layer, an upper channel layer, an insertion layer formed between the lower channel layer and the upper channel layer, and one or more barrier layers formed on the upper channel layer. The semiconductor device further includes a recess formed within the one or more barrier layers and at least a first portion of the upper channel layer, a gate structure formed within the recess. In various implementations, the gate structure has a gate dielectric layer formed on and adjacent to a wall of the recess and a gate electrode formed on and adjacent to the electrode dielectric layer.
(FR) L'invention concerne un transistor HEMT à double canal (DC) à enrichissement. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend un substrat et une hétérostructure formée sur le substrat. L'hétérostructure peut comprendre une couche de canal inférieure, une couche de canal supérieure, une couche d'insertion formée entre la couche de canal inférieure et la couche de canal supérieure, et une ou plusieurs couches barrière formées sur la couche de canal supérieure. Le dispositif à semi-conducteur comprend en outre un évidement formé à l'intérieur de la ou des couches barrière et d'au moins une première partie de la couche de canal supérieure, une structure de grille formée à l'intérieur de l'évidement. Selon divers modes de réalisation, la structure de grille a une couche diélectrique de grille formée sur une paroi de l'évidement et adjacente à celle-ci et une électrode de grille formée sur la couche diélectrique d'électrode et adjacente à celle-ci.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
CN107735863