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1. (WO2017000681) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UNE STRUCTURE DE GRILLE EN TRANCHÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/000681 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/081927
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 12.05.2016
CIB :
H01L 29/739 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739
commandés par effet de champ
Déposants :
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028, CN
Inventeurs :
芮强 RUI, Qiang; CN
邓小社 DENG, Xiaoshe; CN
孙永生 SUN, Yongsheng; CN
Mandataire :
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市 天河区花城大道85号3901房 Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Données relatives à la priorité :
201510383474.302.07.2015CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRENCH GATE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UNE STRUCTURE DE GRILLE EN TRANCHÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 具有沟槽栅极结构的半导体器件及其制造方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor device with a trench gate structure comprises: a drift region (17), a metal electrode (11) on the drift region (17), a trench penetrating from a region below the metal electrode (11) to the drift region (17), a gate oxidation layer (16) on an inner surface of the trench, a polycrystalline silicon gate (13) in the trench, a dielectric layer (12) disposed in the trench and above the polycrystalline silicon gate (13), and a doped region at two sides of the top of the trench.
(FR) Un dispositif à semi-conducteur doté d'une structure de grille en tranchée comprend : une zone de migration (17), une électrode métallique (11) sur la zone de migration (17), une tranchée pénétrant depuis une zone située au-dessous de l'électrode métallique (11) jusqu'à la zone de migration (17), une couche d'oxydation de grille (16) sur une surface intérieure de la tranchée, une grille en silicium polycristallin (13) dans la tranchée, une couche diélectrique (12) disposée dans la tranchée et au-dessus de la grille en silicium polycristallin (13), et une région dopée au niveau de deux côtés de la partie supérieure de la tranchée.
(ZH) 一种具有沟槽栅极结构的半导体器件,包括漂移区(17)、漂移区(17)上的金属电极(11)、从金属电极(11)下方贯穿至漂移区(17)的沟槽、沟槽内表面的栅氧化层(16)、以及沟槽内的多晶硅栅极(13),还包括设于所述沟槽内且在所述多晶硅栅极(13)上方的介质层(12),以及所述沟槽顶部两侧的掺杂区。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Chinois (ZH)
Langue de dépôt : Chinois (ZH)