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1. (WO2017000670) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM DE TUNGSTÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/000670 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/081546
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 10.05.2016
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028, CN
Inventeurs :
周君 ZHOU, Jun; CN
Mandataire :
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市 天河区花城大道85号3901房 Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Données relatives à la priorité :
201510383665.X02.07.2015CN
Titre (EN) TUNGSTEN FILM DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM DE TUNGSTÈNE
(ZH) 钨膜的沉积方法
Abrégé :
(EN) Provided is a tungsten film deposition method, comprising the following steps: providing a substrate; performing chemical vapour deposition with a gaseous silicon compound as a gas source to form a first silicon atom layer deposited on the substrate; performing chemical vapour deposition with a tungsten gaseous compound and a gaseous silicon compound as a gas source to form a tungsten core film deposited on the substrate; performing chemical vapour deposition with a gaseous silicon compound as a gas source to form a second silicon atom layer deposited on the tungsten core film; and performing chemical vapour deposition with a gaseous tungsten compound and hydrogen as a gas source to form a tungsten film deposited on the substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de dépôt de film de tungstène, comprenant les étapes suivantes : prendre un substrat ; effectuer un dépôt chimique en phase vapeur avec un composé de silicium gazeux comme source de gaz pour former une première couche d'atomes de silicium déposée sur le substrat ; effectuer un dépôt chimique en phase vapeur avec un composé de tungstène gazeux et un composé de silicium gazeux comme source de gaz pour former un film central de tungstène déposé sur le substrat ; effectuer un dépôt chimique en phase vapeur avec un composé de silicium gazeux comme source de gaz pour former une seconde couche d'atomes de silicium déposée sur le film central de tungstène ; et effectuer un dépôt chimique en phase vapeur avec un composé de tungstène gazeux et de l'hydrogène comme source de gaz pour former un film de tungstène déposé sur le substrat.
(ZH) 一种钨膜的沉积方法,包括以下步骤:提供基底;以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积,形成沉积在基底上的第一硅原子层;以钨的气态化合物和硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积,形成沉积在基底上的钨核膜;以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积,形成沉积在钨核膜上的第二硅原子层;以钨的气态化合物和氢气作为气源进行化学气相沉积,形成沉积在基底上的钨膜。
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Langue de publication : Chinois (ZH)
Langue de dépôt : Chinois (ZH)