Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017000335) PROCÉDÉ DE FABRICATION ET STRUCTURE DE PLAQUE ARRIÈRE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/000335 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/085154
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 27.07.2015
CIB :
H01L 29/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
762
Dispositifs à transfert de charge
765
Dispositifs à couplage de charge
768
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
张晓星 ZHANG, Xiaoxing; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201510379544.801.07.2015CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR AND STRUCTURE OF TFT BACK PLATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION ET STRUCTURE DE PLAQUE ARRIÈRE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(ZH) TFT背板的制作方法及其结构
Abrégé :
(EN) Provided are a manufacturing method for and a structure of a TFT back plate. The manufacturing method for the TFT back plate is as follows: after induction ions are implanted into a noncrystalline silicon layer (3) and solid phase crystallization is carried out to form a polycrystalline silicon layer (3'), the polycrystalline silicon layer (3') is subjected to patterning processing using a halftone photomask to form an island-shaped active layer (4), and at the same time, the upper part (31) having more implanted induction ions and located in the middle part of the island-shaped active layer (4) is etched away to form a channel region (32), and the upper part (31) having more implanted induction ions and located on both sides of the island-shaped active layer (4) is retained as an source/drain electrode contact region. Not only is the number of photomasks reduced, but also a process for implanting doping ions into the source/drain electrode contact region separately is omitted, so that the manufacture procedure can be simplified and the production cost is lowered.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication et une structure d'une plaque arrière de transistor à couches minces (TFT). Le procédé de fabrication de la plaque arrière de TFT comprend les étapes suivantes : après que des ions inducteurs ont été implantés dans une couche de silicium non cristallin (3) et qu'une cristallisation en phase solide a été effectuée pour former une couche de silicium polycristallin (3'), la couche de silicium polycristallin (3') est soumise à un traitement de formation de motifs à l'aide d'un masque photographique tramé pour former une couche active en forme d'îlot (4), et en même temps, la partie supérieure (31) comportant davantage d'ions inducteurs implantés et située dans la partie médiane de la couche active en forme d'îlot (4) est éliminée par gravure pour former une zone de canal (32), et la partie supérieure (31) comportant davantage d'ions inducteurs implantés et située sur les deux côtés de la couche active en forme d'îlot (4) est conservée comme zone de contact d'électrode de source/drain. Non seulement le nombre de masques photographiques est réduit, mais en outre un processus d'implantation d'ions dopants dans la zone de contact d'électrode de source/drain séparément est omis, de manière à pouvoir simplifier la procédure de fabrication et à réduire le coût de production.
(ZH) 一种TFT背板的制作方法及其结构。该TFT背板的制作方法,在通过对非晶硅层(3)植入诱导离子固相结晶成多晶硅层(3')后,利用半色调光罩对多晶硅层(3')进行图案化处理,形成岛状有源层(4)的同时,将位于岛状有源层(4)中部的具有较多植入的诱导离子的上层部分(31)蚀刻掉,形成沟道区(32),将位于岛状有源层(4)两侧的具有较多植入的诱导离子的上层部分(31)保留下来成为源/漏极接触区,既减少了光罩数量,又省去了单独对源/漏极接触区植入掺杂离子的工艺,从而能够简化制程,降低生产成本。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Chinois (ZH)
Langue de dépôt : Chinois (ZH)
Également publié sous:
US20170141137