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1. (WO2016210429) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE GESTION THERMIQUE DE CAPTEUR MEMS INERTIEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/210429 N° de la demande internationale : PCT/US2016/039623
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 27.06.2016
CIB :
B05D 5/12 (2006.01) ,H01L 23/34 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H05B 3/10 (2006.01) ,H05B 6/06 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05
PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
D
PROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
5
Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces pour obtenir des effets, finis ou des structures de surface particuliers
12
pour obtenir un revêtement ayant des propriétés électriques spécifiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3
Chauffage par résistance ohmique
10
Eléments chauffants caractérisés par la composition ou la nature des matériaux ou par la disposition du conducteur
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
6
Chauffage par champs électriques, magnétiques ou électromagnétiques
02
Chauffage par induction
06
Commande, p.ex. de la température, de la puissance
Déposants :
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC. [US/US]; 160 Rio Robles Dr. San Jose, California 95134, US
Inventeurs :
SALA, Leonardo; IT
Mandataire :
NORTH, Michael V.; US
Données relatives à la priorité :
14/971,70016.12.2015US
62/185,03526.06.2015US
Titre (EN) INERTIAL MEMS SENSOR THERMAL MANAGEMENT SYSTEMS AND METHODS
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE GESTION THERMIQUE DE CAPTEUR MEMS INERTIEL
Abrégé :
(EN) Presented are low-cost and ultra-stable thermal management systems and methods that provide high accuracy and stability for sensors that are exposed to environments with fluctuating temperatures by maintaining a constant sensor temperature. In various embodiments of the invention this is accomplished without significantly increasing the power consumption or the size of the thermal management system.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés de gestion thermique peu onéreux et ultra-stables qui fournissent une précision élevée et une grande stabilité pour des capteurs qui sont exposés à des environnements présentant des températures fluctuantes en maintenant une température de capteur constante. Dans divers modes de réalisation de l'invention, ce résultat est obtenu sans augmenter de manière significative la consommation d'énergie ou la taille du système de gestion thermique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)