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1. (WO2016210301) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE GRAVURE EN PHASE GAZEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/210301    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/039319
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 24.06.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventeurs : KAL, Subhadeep; (US).
MOHANTY, Nihar; (US).
RALEY, Angelique; (US).
MOSDEN, Aelan; (US).
LEFEVRE, Scott; (US)
Mandataire : WEIHROUCH, Steven P.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/185,167 26.06.2015 US
Titre (EN) GAS PHASE ETCHING SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE GRAVURE EN PHASE GAZEUSE
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for the dry removal of a material on a microelectronic workpiece are described. The method includes receiving a workpiece having a surface exposing a target layer to be at least partially removed, placing the workpiece on a workpiece holder in a dry, non-plasma etch chamber, and selectively removing at least a portion of the target layer from the workpiece. The selective removal includes operating the dry, non-plasma etch chamber to perform the following: exposing the surface of the workpiece to a chemical environment at a first setpoint temperature in the range of 35 degrees C to 100 degrees C to chemically alter a surface region of the target layer, and then, elevating the temperature of the workpiece to a second setpoint temperature at or above 100 degrees C to remove the chemically treated surface region of the target layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un système permettant l'enlèvement d'un matériau par voie sèche sur une pièce micro-électronique. Le procédé comprend la réception d'une pièce à usiner ayant une surface exposant une couche cible devant être au moins partiellement enlevée, le placement de la pièce à usiner sur un support de pièce dans une chambre sèche et de gravure non plasmique, et l'enlèvement sélectif d'au moins une partie de la couche cible de la pièce à usiner. L'enlèvement sélectif comprend le fonctionnement de la chambre sèche et de gravure non plasmique permettant : d'exposer la surface de la pièce à usiner à un environnement chimique à une première température de point de consigne dans la plage de 35 degrés C à 100 degrés C pour altérer chimiquement une zone de surface de la couche cible et ensuite, d'augmenter la température de la pièce à usiner à une seconde température de point de consigne égale ou supérieure à 100 degrés C pour enlever la zone de surface traitée chimiquement de la couche cible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)