WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016209836) DÉTECTEURS OPTOÉLECTRONIQUES AYANT UNE COUCHE DE NITRURE DILUÉ SUR UN SUBSTRAT AVEC UN PARAMÈTRE DE RÉSEAU CORRESPONDANT PRESQUE À GAAS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/209836    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/038567
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 21.06.2016
CIB :
H01L 31/105 (2006.01), H01L 31/107 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : IQE, PLC [GB/GB]; Pascal Close Iqe Plc Head Office St. Mellons, Cardiff CF3 3LW (GB).
YANKA, Robert [US/US]; (US) (US only).
CHUNG, Seokjae [US/US]; (US) (US only).
NUNNA, Kalyan [IN/US]; (US) (US only).
PELZEL, Rodney [US/US]; (US) (US only).
WILLIAMS, Howard [GB/GB]; (GB) (US only)
Inventeurs : YANKA, Robert; (US).
CHUNG, Seokjae; (US).
NUNNA, Kalyan; (US).
PELZEL, Rodney; (US).
WILLIAMS, Howard; (GB)
Mandataire : INGERMAN, Jeffrey, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/183,060 22.06.2015 US
15/188,396 21.06.2016 US
Titre (EN) OPTOELECTRONIC DETECTORS HAVING A DILUTE NITRIDE LAYER ON A SUBSTRATE WITH A LATTICE PARAMETER NEARLY MATCHING GAAS
(FR) DÉTECTEURS OPTOÉLECTRONIQUES AYANT UNE COUCHE DE NITRURE DILUÉ SUR UN SUBSTRAT AVEC UN PARAMÈTRE DE RÉSEAU CORRESPONDANT PRESQUE À GAAS
Abrégé : front page image
(EN)Optoelectronic detectors having one or more dilute nitride layers on substrates with lattice parameters matching or nearly matching GaAs are described herein. A photodetector includes a substrate with a lattice parameter matching or nearly matching GaAs and a first doped III-V layer over the substrate. The photodector also includes an InGaNAsSb absorber layer over the first doped III-V layer, the absorber layer having a bandgap between approximately 0.7 eV and 0.95 eV and a carrier concentration less than approximately 1 x 1016cm-3at room temperature. The photodetector includes as well a second doped III-V layer over the absorber layer.
(FR)L'invention concerne des détecteurs optoélectroniques ayant une ou plusieurs couches de nitrure dilué sur des substrats avec des paramètres de réseau correspondant ou correspondant presque à GaAs. Un photodétecteur comprend un substrat avec un paramètre de réseau correspondant ou correspondant presque à GaAs et une première couche de groupe III-V dopée sur le substrat. Le photodétecteur comprend également une couche absorbante d'InGaNAsSb sur la première couche de groupe III-V dopée, la couche absorbante ayant une bande interdite entre environ 0,7 eV et 0,95 eV et une concentration de porteurs inférieure à environ 1 x 1016 cm-3 à température ambiante. Le photodétecteur comprend aussi une seconde couche de groupe III-V dopée sur la couche absorbante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)