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1. (WO2016209766) SYSTÈME LASER À FORTE PUISSANCE DE CRÊTE POMPÉ PAR DIODE POUR APPLICATIONS MULTI-PHOTONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/209766    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/038356
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 20.06.2016
CIB :
H01S 5/04 (2006.01), H01L 33/10 (2010.01)
Déposants : NEWPORT CORPORATION [US/US]; 1791 Deere Avenue Irvine, California 92606 (US)
Inventeurs : FLOREAN, Andrei C.; (US).
KAFKA, James D.; (US)
Mandataire : SWIENTON, Brian; (US)
Données relatives à la priorité :
62/183,155 22.06.2015 US
Titre (EN) DIODE PUMPED HIGH PEAK POWER LASER SYSTEM FOR MULTI-PHOTON APPLICATIONS
(FR) SYSTÈME LASER À FORTE PUISSANCE DE CRÊTE POMPÉ PAR DIODE POUR APPLICATIONS MULTI-PHOTONS
Abrégé : front page image
(EN)The present application discloses various embodiments of a high peak power laser system which includes a diode pump source configured to directly pump at least one optical crystal positioned within the laser cavity, the diode pump source emitting at least one pump beam comprised of two or more vertically stacked optical signals having a wavelength from about 400 nm to about 1100 nm., the optical crystal configured to output at least one optical output having a wavelength of about 750 nm to about 1100nm and having an output power of about 25 kW or more.
(FR)Selon divers modes de réalisation, la présente invention concerne un système laser à forte puissance de crête qui comprend une source de pompage à diode, configurée pour pomper directement au moins un cristal optique positionné à l'intérieur de la cavité laser, la source de pompage à diode émettant au moins un faisceau de pompe constitué d'au moins deux signaux optiques empilés verticalement et ayant une longueur d'onde d'environ 400 nm à environ 1100 nm, le cristal optique étant configuré de façon à émettre au moins une sortie optique ayant une longueur d'onde d'environ 750 nm à environ 1100 nm et ayant une puissance de sortie d'environ 25 kW ou plus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)