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1. (WO2016209615) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS CONTENANT DES STRUCTURES DE PAQUET DE MÉMOIRES À TENSION DE SEUIL INDÉPENDANTE DE LA POSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2016/209615 N° de la demande internationale : PCT/US2016/036240
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 07.06.2016
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC[US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024, US
Inventeurs : SAKAKIBARA, Kiyohiko; US
YADA, Shinsuke; US
Mandataire : RADOMSKY, Leon; US
Données relatives à la priorité :
14/746,04222.06.2015US
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES CONTAINING MEMORY STACK STRUCTURES WITH POSITION-INDEPENDENT THRESHOLD VOLTAGE
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS CONTENANT DES STRUCTURES DE PAQUET DE MÉMOIRES À TENSION DE SEUIL INDÉPENDANTE DE LA POSITION
Abrégé : front page image
(EN) The threshold voltage for vertical transistors in three-dimensional memory stack structures can be made independent of a lateral distance from a source region by forming a doped pocket region. The doped pocket region has the same conductivity type as a doped well that constitutes horizontal portions of the semiconductor channels that extend into the memory stack structures, and has a higher dopant concentration level than the doped well. The doped pocket region and a source region can be simultaneously formed by implanting p-type dopants and n-type dopants into a surface portion of the substrate underlying a backside contact trench. By selecting dopant species having different diffusion rates, the doped pocket region can surround the source region. The process parameters of the anneal process can be selected such that the interface between the dopant pocket region and the doped well underlies outermost memory stack structures.
(FR) La tension de seuil de transistors verticaux dans des structures de paquet de mémoires tridimensionnelles peut être rendue indépendante d'une distance latérale à partir d'une région de source par formation d'une région de poche dopée. La région de poche dopée a le même type de conductivité qu'un puits dopé qui constitue des parties horizontales des canaux semi-conducteurs qui s'étendent dans les structures de paquet de mémoires, et a un niveau de densité des atomes dopants plus élevé que celui du puits dopé. La région de poche dopée et une région de source peuvent être simultanément formées par implantation de dopants de type p et de dopants de type n dans une partie de surface du substrat sous-jacente à une tranchée de contact arrière. Par sélection d'espèces dopantes ayant différentes vitesses de diffusion, la région de poche dopée peut entourer la région de source. Les paramètres de procédé du procédé de recuit peuvent être choisis de telle sorte que l'interface entre la région de poche dopée et de puits dopé soit sous-jacente aux structures de paquet de mémoires les plus à l'extérieur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)