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1. (WO2016209474) OSCILLATEUR À CRISTAL ÉQUILIBRÉ À FAIBLE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2016/209474 N° de la demande internationale : PCT/US2016/033954
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 24.05.2016
CIB :
H03B 5/36 (2006.01) ,H03B 5/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
5
Production d'oscillation au moyen d'un amplificateur comportant un circuit de réaction entre sa sortie et son entrée
30
l'élément déterminant la fréquence étant un résonateur électromécanique
32
un résonateur piézo-électrique
36
l'élément actif de l'amplificateur comportant un dispositif semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
5
Production d'oscillation au moyen d'un amplificateur comportant un circuit de réaction entre sa sortie et son entrée
08
Eléments déterminant la fréquence comportant des inductances ou des capacités localisées
12
l'élément actif de l'amplificateur étant un dispositif à semi-conducteurs
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : KHALILI, Alireza; US
RAJAVI, Yashar; US
TAGHIVAND, Mazhareddin; US
Mandataire : LEE, Samuel S.; US
Données relatives à la priorité :
14/748,94624.06.2015US
Titre (EN) LOW-POWER BALANCED CRYSTAL OSCILLATOR
(FR) OSCILLATEUR À CRISTAL ÉQUILIBRÉ À FAIBLE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) A circuit includes: first and second output terminals; a reference resonator coupled between the first and second output terminals; a cross-coupled oscillation unit coupled to the first and second output terminals; a first MOSFET diode coupled to the cross-coupled oscillation unit, the first MOSFET diode including a first transistor, a first resistor coupled between gate and drain terminals of the first transistor, and a first capacitor; a second MOSFET diode coupled to the cross-coupled oscillation unit, the second MOSFET diode including a second transistor, a second resistor coupled between gate and drain terminals of the second transistor, and a second capacitor cross coupled between the drain terminal of the second transistor and the gate terminal of the first transistor, wherein the first capacitor is cross coupled between the drain terminal of the first transistor and the gate terminal of the second transistor.
(FR) Un circuit comprend : des première et seconde bornes de sortie ; un résonateur de référence couplé entre les première et seconde bornes de sortie ; une unité d'oscillation à couplage transversal couplée aux première et seconde bornes de sortie ; une première diode MOSFET couplée à l'unité d'oscillation à couplage transversal, la première diode MOSFET comprenant un premier transistor, une première résistance couplée entre des bornes de grille et de drain du premier transistor, et un premier condensateur ; une seconde diode MOSFET couplée à l'unité d'oscillation à couplage transversal, la seconde diode MOSFET comprenant un second transistor, une seconde résistance couplée entre des bornes de grille et de drain du second transistor, et un second condensateur couplé transversalement entre la borne de drain du second transistor et la borne de grille du premier transistor, le premier condensateur étant couplé transversalement entre la borne de drain du premier transistor et la borne de grille du second transistor.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)