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1. (WO2016209435) QUALITÉ DE CONTACT D’ÉLECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/209435    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/033144
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 18.05.2016
CIB :
A61B 5/0452 (2006.01)
Déposants : DAQRI, LLC [US/US]; 1201 West 5th Street, Suite T 800 Los Angeles, California 90017 (US)
Inventeurs : MULLINS, Brian; (US).
NICK, Teresa Ann; (US)
Mandataire : SCHEER, Bradley W., Reg. No. 47,059; (US)
Données relatives à la priorité :
14/749,384 24.06.2015 US
Titre (EN) ELECTRODE CONTACT QUALITY
(FR) QUALITÉ DE CONTACT D’ÉLECTRODE
Abrégé : front page image
(EN)A system and method for determining a quality of contact of an electroencephalogram (EEG) electrode is described. An electrode is connected to a user to detect brainwave activity from the user. An EEG application computes a voltage of the electrode, computes a derivative of the voltage of the electrode, computes a coefficient of variation from the derivative of the voltage, and determines a quality of contact of the electrode to the user based on the coefficient of variation.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé de détermination d’une qualité de contact d’une électrode d’électroencéphalogramme (EEG). Une électrode est connectée à un utilisateur pour détecter l’activité d’ondes cérébrales de l’utilisateur. Une application EEG calcule une tension de l’électrode, calcule une dérivée de la tension de l’électrode, calcule un coefficient de variation de la dérivée de la tension, et détermine la qualité de contact de l’électrode avec l’utilisateur sur la base du coefficient de variation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)