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1. (WO2016209379) GRAVURE DIFFÉRENTIELLE DE COUCHE DIÉLECTRIQUE DE BLOCAGE À BASE D'OXYDE MÉTALLIQUE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/209379    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/031331
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 06.05.2016
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : SHARANGPANI, Rahul; (US).
KOKA, Sateesh; (US).
MAKALA, Raghuveer S.; (US).
RANGANATHAN, Srikanth; (US).
JUANITAS, Mark; (US).
ALSMEIER, Johann; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; (US)
Données relatives à la priorité :
14/748,871 24.06.2015 US
Titre (EN) DIFFERENTIAL ETCH OF METAL OXIDE BLOCKING DIELECTRIC LAYER FOR THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES
(FR) GRAVURE DIFFÉRENTIELLE DE COUCHE DIÉLECTRIQUE DE BLOCAGE À BASE D'OXYDE MÉTALLIQUE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor structure includes forming a stack of alternating layers comprising insulating layers and spacer material layers over a semiconductor substrate, forming a memory opening through the stack, forming an aluminum oxide layer having a horizontal portion at a bottom of the memory opening and a vertical portion at least over a sidewall of the memory opening, where the horizontal portion differs from the vertical portion by at least one of structure or composition, and selectively etching the horizontal portion selective to the vertical portion.
(FR)Un procédé de fabrication d'une structure à semi-conducteur selon l'invention comprend la formation d'un empilement de couches alternées comprenant des couches isolantes et de couches de matériau d'espacement sur un substrat semi-conducteur, la formation d'une ouverture de mémoire à travers l'empilement, la formation d'une couche d'oxyde d'aluminium ayant une partie horizontale au fond de l'ouverture de mémoire et une partie verticale au moins sur une paroi latérale de l'ouverture de mémoire, où la partie horizontale est différente de la partie verticale par au moins l'une de la structure ou la composition, et la gravure sélective de la partie horizontale par rapport à la partie verticale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)