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1. (WO2016209284) ESPACEUR DE SOURCE/DRAIN À SEMI-CONDUCTEUR À MOBILITÉ ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/209284    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/038099
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 26.06.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : DEWEY, Gilbert; (US).
METZ, Matthew V.; (US).
MURTHY, Anand S.; (US).
GHANI, Tahir; (US).
RACHMADY, Willy; (US).
MOHAPATRA, Chandra S.; (US).
KAVALIEROS, Jack T.; (US).
GLASS, Glenn A.; (US)
Mandataire : HOWARD, James M.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH-MOBILITY SEMICONDUCTOR SOURCE/DRAIN SPACER
(FR) ESPACEUR DE SOURCE/DRAIN À SEMI-CONDUCTEUR À MOBILITÉ ÉLEVÉE
Abrégé : front page image
(EN)Monolithic FETs including a majority carrier channel in a first high carrier mobility semiconductor material disposed over a substrate. While a mask, such as a gate stack or sacrificial gate stack, is covering a lateral channel region, a spacer of a high carrier mobility semiconductor material is overgrown, for example wrapping around a dielectric lateral spacer, to increase effective spacing between the transistor source and drain without a concomitant increase in transistor footprint. Source/drain regions couple electrically to the lateral channel region through the high-mobility semiconductor spacer, which may be substantially undoped (i.e. intrinsic). With effective channel length for a given lateral gate dimension increased, the transistor footprint for a given off-state leakage may be reduced or off-state source/drain leakage for a given transistor footprint may be reduced, for example.
(FR)L'invention concerne des FET monolithiques comprenant un canal de support majoritaire fait d'un premier matériau semi-conducteur à mobilité de support élevée disposé sur un substrat. Tandis qu'un masque, tel qu'un empilement de grilles ou empilement de grilles sacrificiel, recouvre une zone de canal latérale, on fait croître par-dessus un espaceur fait d'un matériau semi-conducteur à mobilité élevée de support, par exemple pour qu'il entoure un espaceur latéral diélectrique, afin d'augmenter l'espacement efficace entre la source et le drain du transistor sans augmentation concomitante de l'empreinte du transistor. Des régions de source/drain viennent se coupler électriquement à la zone de canal latérale à travers l'espaceur à semi-conducteur à mobilité élevée, qui peut être sensiblement non dopé (c'est-à-dire intrinsèque). Avec une longueur de canal effective pour une dimension accrue donnée de grille latérale, l'empreinte de transistor pour une fuite à l'état bloqué donnée peut être réduite ou la fuite de source/drain à l'état bloqué pour une empreinte de transistor donnée peut être réduite, par exemple.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)