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1. (WO2016209267) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À FAIBLE CHAMP DE DISPERSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/209267 N° de la demande internationale : PCT/US2015/038012
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 26.06.2015
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs : DOYLE, Brian, S.; US
OGUZ, Kaan; US
O'BRIEN, Kevin, P.; US
KENCKE, David, L.; US
KUO, Charles, C.; US
DOCZY, Mark, L.; US
SURI, Satyarth; US
CHAU, Robert, S.; US
Mandataire : RICHARDS, II, E.E. "Jack"; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LOW STRAY FIELD MAGNETIC MEMORY
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À FAIBLE CHAMP DE DISPERSION
Abrégé : front page image
(EN) An embodiment includes an apparatus comprising: a substrate; a magnetic tunnel junction (MTJ), on the substrate, comprising a fixed layer, a free layer, and a dielectric layer between the fixed and free layers; and a first synthetic anti-ferromagnetic (SAF) layer, a second SAF layer, and an intermediate layer, which includes a non-magnetic metal, between the first and second SAF layers; wherein the first SAF layer includes a Heusler alloy. Other embodiments are described herein.
(FR) L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un appareil comprenant : un substrat; une jonction tunnel magnétique (MTJ), sur le substrat, comprenant une couche fixe, une couche libre et une couche diélectrique entre les couches fixe et libre; et une première couche anti-ferromagnétique synthétique (SAF), une seconde couche SAF, et une couche intermédiaire, qui comprend un métal non-magnétique, entre les première et seconde couches SAF; la première couche SAF comprenant un alliage de Heusler. D'autres modes de réalisation sont décrits dans la présente invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)