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1. (WO2016208882) MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE NÉGATIVE POUR BATTERIE SECONDAIRE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/208882    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/005759
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 31.05.2016
CIB :
H01M 4/36 (2006.01), H01M 4/38 (2006.01), H01M 4/134 (2010.01), C01B 33/00 (2006.01), H01M 10/052 (2010.01)
Déposants : ILJIN ELECTRIC CO., LTD. [KR/KR]; (Annyeong-dong)905-17, Mannyeon-ro Hwaseong-si Gyeonggi-do 18365 (KR)
Inventeurs : PARK, Cheol Ho; (KR).
KIM, Min Hyun; (KR).
CHOI, Young Pil; (KR).
KIM, Seon Kyong; (KR)
Mandataire : AJU INTERNATIONAL LAW & PATENT GROUP; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0088613 22.06.2015 KR
10-2016-0047098 18.04.2016 KR
Titre (EN) NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY AND PREPARING METHOD THEREOF
(FR) MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE NÉGATIVE POUR BATTERIE SECONDAIRE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a negative electrode active material for a secondary battery, which suppresses a dispersal phenomenon of a negative electrode active material during charging/discharging by controlling a lattice mismatch ratio of an amorphous matrix layer to a silicon layer in a silicon-based negative electrode active material.
(FR)La présente invention concerne un matériau actif d'électrode négative pour une batterie secondaire, qui supprime un phénomène de dispersion d'un matériau actif d'électrode négative pendant la charge/décharge en commandant un rapport de désadaptation de treillis d'une couche matricielle amorphe à une couche de silicium dans un matériau actif d'électrode négative à base de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)