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1. (WO2016208864) TRANSISTOR À BASE DE NITRURE POUR MISE EN ŒUVRE DE HORS SERVICE NORMAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/208864 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/004501
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 12.05.2016
CIB :
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417
transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Déposants :
서울반도체 주식회사 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 안산시 단원구 산단로163번길 97-11 97-11, Sandan-ro 163beon-gil Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15429, KR
Inventeurs :
타케야모토노부 TAKEYA, Motonobu; KR
요코가와도시야 YOKOGAWA, Toshiya; JP
Mandataire :
특허법인에이아이피 AIP PATENT & LAW FIRM; 서울시 강남구 테헤란로 14길 30-1 30-1, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu Seoul 06239, KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-008975224.06.2015KR
Titre (EN) NITRIDE-BASED TRANSISTOR FOR IMPLEMENTING NORMALLY-OFF
(FR) TRANSISTOR À BASE DE NITRURE POUR MISE EN ŒUVRE DE HORS SERVICE NORMAL
(KO) 노멀리-오프를 구현하는 질화물계 트랜지스터
Abrégé :
(EN) A nitride-based transistor for implementing normally-off, according to an embodiment, comprises: an n-type-doped first nitride-based first semiconductor layer grown on an m-surface; an insulating second nitride-based second semiconductor layer disposed on the first semiconductor layer; and a gate electrode layer disposed on the second semiconductor layer. The first semiconductor layer and the second semiconductor layer have different energy band gaps.
(FR) La présente invention concerne un transistor à base de nitrure pour mise en œuvre de hors service normal, selon un mode de réalisation, comprend : une première couche à semi-conducteur à base de nitrure dopée par type n développée sur une surface de m ; une seconde couche à semi-conducteur à base de nitrure isolante disposée sur la première couche à semi-conducteur ; et une couche d'électrode grille disposée sur la seconde couche à semi-conducteur. La première couche à semi-conducteur et la seconde couche à semi-conducteur possèdent des largeurs de bande interdite différentes.
(KO) 일 실시 예에 따르는 노멀리-오프를 구현하는 질화물계 트랜지스터는 m-면 상에서 성장한 n형 도핑된 제1 질화물계 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 절연성 제2 질화물계 제2 반도체층; 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되는 게이트 전극층을 구비한다. 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 에너지 밴드갭을 가진다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)