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1. (WO2016208790) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SURFACE À GRANDE VITESSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/208790 N° de la demande internationale : PCT/KR2015/006615
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 29.06.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
주식회사 코윈디에스티 COWINDST CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 안양시 동안구 동편로 77 77, Dongpyeon-ro, Dongan-gu Anyang-si Gyeonggi-do 431-815, KR
Inventeurs :
이천재 LEE, Chun Jae; KR
박훈 PARK, Hoon; KR
박재웅 PARK, Jae Woong; KR
김승현 KIM, Seoung Hyun; KR
최재익 CHOI, Jea Ick; KR
Mandataire :
김인한 KIM, In Han; KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-009144326.06.2015KR
Titre (EN) HIGH-SPEED SURFACE PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SURFACE À GRANDE VITESSE
(KO) 고속 표면 가공 장치
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a high-speed surface processing apparatus, comprising: a high-speed scanner into which a laser is introduced; a multi-array window for irradiating the introduced laser as a laser having a plurality of focal points; an atmospheric pressure chamber on which the multi-array window is disposed, the atmospheric pressure chamber including a gas supply part for supplying a purge gas to a processing member; and a substrate-adhered porous chuck on which the processing member is disposed.
(FR) La présente invention concerne un appareil de traitement de surface à grande vitesse, comprenant : un dispositif de balayage à grande vitesse dans lequel un laser est introduit ; une fenêtre multi-réseau pour émettre le laser introduit sous la forme d'un laser ayant une pluralité de foyers ; une chambre à pression atmosphérique sur laquelle la fenêtre multi-réseau est disposée, la chambre à pression atmosphérique comprenant une partie d'alimentation en gaz pour fournir un gaz de purge à un élément de traitement ; et un mandrin poreux d'aspiration de substrat sur lequel l'élément de traitement est disposé.
(KO) 본 발명은 고속 표면 가공 장치에 관한 것으로, 레이저가 유입되는 고속 스캐너; 상기 유입된 레이저를 다수의 초점의 레이저로 조사하는 멀티 어레이 윈도우; 상기 멀티 어레이 윈도우가 배치되며, 퍼지 가스를 가공 부재에 공급하는 가스 공급부를 포함하는 대기압 챔버; 및 상기 가공 부재가 배치되는 기판 흡착 다공질 척;을 포함한다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)