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1. (WO2016208603) SUBSTRAT DE SAPHIR DE GRANDE TAILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/208603    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/068446
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 22.06.2016
CIB :
C30B 29/20 (2006.01), C30B 15/34 (2006.01)
Déposants : NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 8-22, Shinden 3-chome Adachi-ku, Tokyo 1238511 (JP)
Inventeurs : KOTAKI Toshiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-124393 22.06.2015 JP
Titre (EN) LARGE-SIZED SAPPHIRE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE SAPHIR DE GRANDE TAILLE
(JA) 大型サファイア基板
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a large-sized single-crystal sapphire 6 or 8 inches in width, the crystal orientation of which can be measured by parallel light such as a general-purpose laser immediately after growth. [Solution] In the present invention, by growing a single-crystal sapphire ribbon having a surface in which the deviation of C-plane or R-plane crystal orientation is 2° or less with respect to the surface of a single-crystal sapphire ribbon grown by an EFG method, it is possible to obtain a single-crystal sapphire ribbon whereby the crystal orientation can be measured from the reflection angle when a general-purpose laser incident from a direction orthogonal to the surface is reflected.
(FR)[Problème] Fournir un saphir monocristallin de grande taille de 6 ou 8 pouces de largeur, dont l’orientation cristalline peut être mesurée par une lumière parallèle telle qu’un laser à usage général immédiatement après la croissance. [Solution] Dans la présente invention, par croissance d'un ruban de saphir monocristallin comportant une surface dans laquelle l’écart d’orientation cristalline de plan C ou de plan R est de 2° ou moins par rapport à la surface d'un ruban de saphir monocristallin formé par un procédé EFG, il est possible d'obtenir un ruban de saphir monocristallin, de sorte que l'orientation cristalline puisse être mesurée par rapport à l'angle de réflexion lorsqu'un laser à usage général incident depuis une direction orthogonale à la surface est réfléchi.
(JA)【課題】 育成直後の状態で汎用レーザー等の平行光による結晶方位の測定が可能な幅6インチ、8インチといった大型の単結晶サファイアを提供する。 【解決手段】 EFG法で育成する単結晶サファイアリボンの表面に対して、C面又はR面結晶方位のズレが2°以内である表面を有する単結晶サファイアリボンを育成する事で、当該表面に対して直交方向から入射した汎用レーザーを反射し、当該反射角から結晶方位の測定が可能な単結晶サファイアリボンを得ることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)