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1. (WO2016208588) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE SÉCHAGE DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/208588    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/068416
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 21.06.2016
CIB :
H05B 33/10 (2006.01), F26B 3/30 (2006.01), F26B 15/12 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
Inventeurs : SASSA Shuichi; (JP).
MORISHIMA Shinichi; (JP).
SHAKUTSUI Masato; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-125057 22.06.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, AND METHOD FOR DRYING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE SÉCHAGE DE SUBSTRAT
(JA) 有機電子素子の製造方法及び基板乾燥方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an organic electronic element according to one aspect of the present invention is a method for manufacturing an organic electronic element 1A having an organic functional layer, said method having a substrate drying step S10, in which a plastic substrate 10 containing moisture is heated and dried, and an element body formation step S20, in which an element body 20 containing the organic functional layer is formed on the plastic substrate that was dried in the substrate drying step. In the substrate drying step, the plastic substrate is heated by infrared light by irradiating the plastic substrate with the infrared light, which has an emission spectrum in which the integral value of a first wavelength range, 1.2 μm to 5.0 μm, is greater than the integral value of a second wavelength range, 5.0 μm to 10.0 μm.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément électronique organique qui, selon un aspect, est un procédé de fabrication d'un élément électronique organique (1A) ayant une couche fonctionnelle organique. Ledit procédé comporte une étape de séchage de substrat (S10), dans laquelle un substrat en plastique (10) contenant de l'humidité est chauffé et séché et une étape de formation de corps d'élément (S20), dans laquelle un corps d'élément (20), qui contient la couche fonctionnelle organique, est formé sur le substrat en plastique qui a été séché à l'étape de séchage de substrat. À l'étape de séchage de substrat, le substrat en plastique est chauffé avec de la lumière infrarouge en irradiant le substrat en plastique avec la lumière infrarouge qui a un spectre d'émission dans lequel la valeur intégrale d'une première plage de longueurs d'onde, à savoir 1,2 μm à 5,0 μm, est supérieure à la valeur intégrale d'une seconde plage de longueurs d'onde, à savoir 5,0 µm à 10,0 µm.
(JA)一実施形態に係る有機電子素子の製造方法は、有機機能層を有する有機電子素子1Aの製造方法であって、水分を含むプラスチック基板10を加熱して乾燥させる基板乾燥工程S10と、基板乾燥工程で乾燥されたプラスチック基板上に、有機機能層を含む素子本体20を形成する素子本体形成工程S20と、を備える。基板乾燥工程では赤外線をプラスチック基板に照射することにより赤外線によってプラスチック基板を加熱し、赤外線の放射スペクトルにおいて、第1波長範囲1.2μm~5.0μmの積分値が、第2波長範囲5.0μm~10.0μmの積分値より大きい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)