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1. (WO2016208428) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/208428 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/067409
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 10.06.2016
CIB :
H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
125
Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145
pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
山本 浩司 YAMAMOTO, Koji; JP
▲高▼井 努 TAKAI, Tsutomu; JP
甲斐 誠二 KAI, Seiji; JP
山崎 央 YAMAZAKI, Hisashi; JP
三輪 祐司 MIWA, Yuji; JP
山根 毅 YAMANE, Takashi; JP
Mandataire :
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2015-12715025.06.2015JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
(JA) 弾性波装置
Abrégé :
(EN) Provided is an elastic wave device in which cracking and chipping of a piezoelectric thin film are unlikely to occur, interfacial delamination in a laminated film is unlikely to occur, and breakage of a wiring electrode is unlikely to occur. In an elastic wave device 1, a laminated film 3 including a piezoelectric thin film 4 is laminated on a support substrate 2. The laminated film 3 is not present partially in a region that is outside the region where IDT electrodes 5a to 5c are provided. A first insulation layer 12 is provided so as to extend from at least a part of a region R where the laminated film 3 is not present, onto the piezoelectric thin film 4. A wiring electrode 6a extends from above the piezoelectric thin film 4 onto the first insulation layer 12, and extends onto the first insulation layer part located in the region R.
(FR) L'invention concerne un dispositif à onde élastique dans lequel la fissuration et l'écaillage d'un film mince piézoélectrique sont peu susceptibles de se produire, le délaminage interfacial dans un film stratifié est peu susceptible de se produire, et la rupture d'une électrode de câblage est peu susceptible de se produire. Dans un dispositif à onde élastique 1, un film stratifié 3 comprenant un film mince piézoélectrique 4 est stratifié sur un substrat de support 2. Le film stratifié 3 n'est pas présent partiellement dans une région qui est à l'extérieur de la région où des électrodes IDT 5a à 5c sont disposées. Une première couche d'isolation 12 est disposée de sorte à s'étendre d'au moins une partie d'une région R où le film stratifié 3 n'est pas présent, sur le film mince piézoélectrique 4. Une électrode de câblage 6a s'étend depuis le dessus du film mince piézoélectrique 4 sur la première couche d'isolation 12, et s'étend sur la première partie de couche d'isolation située dans la région R.
(JA) 圧電薄膜の割れや欠けが生じ難く、かつ積層膜における界面剥離が生じ難く、さらに、配線電極の断線が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。 支持基板2上に、圧電薄膜4を含む積層膜3が積層されている弾性波装置1。IDT電極5a~5cが設けられている領域の外側の領域において、積層膜3が部分的に存在していない。この積層膜3が存在していない領域Rの少なくとも一部から、圧電薄膜4上に至るように第1の絶縁層12が設けられている。配線電極6aが、圧電薄膜4上から第1の絶縁層12上に至り、領域Rに位置している第1の絶縁層部分上に至っている。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)