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1. (WO2016208427) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/208427    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/067408
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 10.06.2016
CIB :
H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KAI, Seiji; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-127148 25.06.2015 JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an elastic wave device having a hollow structure, wherein a piezoelectric thin film is less likely to crack or chip, interfacial separation in a laminated film is less likely to occur, and screening of defective products can be easily performed by leak detection. An elastic wave device 1 provided with a support substrate 2, a laminated film 3 including a piezoelectric thin film 4, and IDT electrodes 5. The laminated film 3 is partially absent in the region on the outside of the region in which the IDT electrodes 5 are provided, as viewed from above. The elastic wave device 1 is further provided with: a support layer 8 provided, on the support substrate 2, in at least a part of the region R in which the laminated film 3 is partially absent, and disposed so as to surround, as viewed from above, the region in which the laminated film 3 is provided; and a cover member 9 provided on the support layer 8, the cover member 9 constituting, with the piezoelectric thin film 4 and the support layer 8, a part of a hollow space 7 that the IDT electrodes 5 face.
(FR)L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques présentant une structure creuse, dans lequel une couche mince piézo-électrique est moins susceptible de se fissurer ou de s'effriter; une séparation interfaciale est moins susceptible de se produire dans un film stratifié; et le tri des produits défectueux peut s'effectuer facilement par détection de fuites. On décrit un dispositif à ondes élastiques (1) comprenant un substrat de support (2), un film stratifié (3) à couche mince piézoélectrique (4), et des électrodes IDT (5). Le film stratifié (3) est partiellement absent dans la zone extérieure à la zone dans laquelle les électrodes IDT (5) sont ménagées, selon une vue en plan. Le dispositif à ondes élastiques (1) comprend en outre une couche de support (8) ménagée sur le substrat de support (2), dans au moins une partie de la zone R dans laquelle le film stratifié (3) est partiellement absent, et disposée de manière à entourer, selon une vue en plan, la zone dans laquelle le film stratifié (3) est ménagé; et un élément couvercle (9) disposé sur la couche de support (8) et constituant avec la couche mince piézoélectrique (4) et la couche de support (8) une partie d'un espace creux (7) faisant face aux électrodes IDT (5).
(JA)中空構造を有する弾性波装置において、圧電薄膜の割れや欠けが生じ難く、かつ積層膜内における界面剥離が生じ難く、リーク検出により不良品を容易に選別し得る、弾性波装置を提供する。 支持基板2と、圧電薄膜4を含む積層膜3と、IDT電極5と、を備え、平面視において、IDT電極5が設けられている領域の外側の領域において、積層膜3が部分的に存在せず、支持基板2上において、積層膜3が部分的に存在しない領域Rの少なくとも一部に設けられており、かつ平面視において、積層膜3が設けられている領域を囲むように配置された、支持層8と、支持層8上に設けられており、圧電薄膜4及び支持層8とともに、IDT電極5が臨む中空空間7を構成している、カバー部材9と、をさらに備える、弾性波装置1。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)