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1. (WO2016208313) SOLUTION DE DÉVELOPPEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2016/208313 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065354
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 24.05.2016
CIB :
G03F 7/32 (2006.01) ,C08F 12/24 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION[JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs : TSUBAKI Hideaki; JP
TSUCHIHASHI Toru; JP
NIHASHI Wataru; JP
Mandataire : TAKAMATSU Takeshi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-12562323.06.2015JP
2015-23377130.11.2015JP
Titre (EN) DEVELOPMENT SOLUTION, PATTERN FORMATION METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) SOLUTION DE DÉVELOPPEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 現像液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a development solution which is used on a resist film obtained from an active ray-sensitive or radiation sensitive composition, in order to achieve extremely high-level pattern collapse performance and bridge performance in a high-precision fine pattern, said development solution including a ketone-based or ether-based solvent having branched alkyl groups; a pattern formation method in which said development solution is used; and an electronic device production method including said pattern formation method.
(FR) L'invention concerne : une solution de développement qui est utilisée sur un film de réserve obtenu d'une composition sensible à un rayon actif ou sensible à un rayonnement, de manière à obtenir une efficacité d'écrasement de motif et une efficacité de liaison de très haut niveau dans un motif précis à haute précision, ladite solution de développement comprenant un solvant à base de cétone ou à base d'éther ayant des groupes alkyles ramifiés ; un procédé de formation de motif dans lequel ladite solution de développement est utilisée ; un procédé de fabrication de dispositif électronique comprenant ledit procédé de formation de motif.
(JA) 高精度の微細パターンにおける、パターン倒れ性能とブリッジ性能を非常に高い次元で両立するために、感活性光線性又は感放射線性組成物から得られるレジスト膜に用いられる現像液であって、分岐アルキル基を有する、ケトン系又はエーテル系溶剤を含む現像液、この現像液を用いるパターン形成方法、及びこのパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)