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1. (WO2016208236) DISPOSITIF DE FILTRE À ONDES ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/208236 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/058559
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 17.03.2016
CIB :
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01) ,H03H 9/72 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs : TAKAMINE, Yuichi; JP
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2015-12499922.06.2015JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE FILTER DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FILTRE À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波フィルタ装置
Abrégé : front page image
(EN) An elastic wave filter device 11 in which are laminated: a high-acoustic-velocity support substrate 2, which acts as a high-acoustic-velocity member through which bulk waves propagate at a higher acoustic velocity than the acoustic velocity at which main-mode elastic waves propagate through a piezoelectric film 4; the piezoelectric film 4, which is directly or indirectly laminated onto the high-acoustic-velocity support substrate 2; and a plurality of IDT electrodes 5, which are provided so as to contact the piezoelectric film 4. At least one series arm resonator S11, S12 and at least one parallel arm resonator P11 are configured from the plurality of IDT electrodes. At the IDT electrodes that configure the at least one series arm resonator S11, S12 and the at least one parallel arm resonator P11, the direction that connects tips of a plurality of first and second electrode fingers forms an angle of inclination of ν with respect to the propagation direction ψ of elastic waves that are excited by the IDT electrodes. When the angle of inclination at the at least one series arm resonator S11, S12 is ν1 and the angle of inclination at the at least one parallel arm resonator P11 is ν2, ν1 and ν2 are different.
(FR) L'invention concerne un dispositif de filtre à ondes élastiques (11), dans lequel sont stratifiés : un substrat de support (2) à vitesse acoustique élevée qui agit comme un élément à vitesse acoustique élevée à travers lequel des ondes en vrac se propagent à une vitesse acoustique supérieure à celle de la vitesse acoustique à laquelle les ondes élastiques en mode principal se propagent à travers un film piézoélectrique (4) ; un film piézoélectrique (4) qui est stratifié directement ou indirectement sur un substrat de support (2) à une vitesse acoustique élevée ; et une pluralité d'électrodes IDT (5) qui sont prévues de manière à entrer en contact avec le film piézoélectrique (4). Au moins un résonateur à bras série S11, S12 et au moins un résonateur à bras parallèles P11 sont conçus à partir de la pluralité d'électrodes IDT. Au niveau des électrodes IDT qui configurent le résonateur à bras série S11, S12 et le résonateur à bras parallèles P11, la direction qui relie les pointes d'une pluralité de premier et second doigt d'électrode forme un angle d'inclinaison v par rapport à la direction de propagation ψ d'ondes élastiques qui sont excitées par les électrodes IDT. Lorsque l'angle d'inclinaison au niveau du résonateur à bras série S11, S12 est v1 et l'angle d'inclinaison au niveau du résonateur à bras en parallèle P11 est v2, v1 et v2 sont différents.
(JA) 圧電膜4を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である高音速部材としての高音速支持基板2、高音速支持基板2上に直接または間接に積層された圧電膜4、圧電膜4に接するように設けられた複数のIDT電極5が積層されており、複数のIDT電極により、少なくとも1つの直列腕共振子S11,S12と、少なくとも1つの並列腕共振子P11とが構成されている。少なくとも1つの直列腕共振子S11,S12及び少なくとも1つの並列腕共振子P11を構成しているIDT電極において、IDT電極により励振される弾性波の伝搬方向ψに対し、複数本の第1,第2の電極指の先端を結ぶ方向がνの傾斜角度をなしており、少なくとも1つの直列腕共振子S11,S12における傾斜角度をν1、少なくとも1つの並列腕共振子P11における傾斜角度をν2としたときに、ν1とν2とが異なっている、弾性波フィルタ装置11。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)