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1. (WO2016208202) LIGNE HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/208202    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/003066
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 24.06.2016
CIB :
H01P 3/08 (2006.01), G02F 1/025 (2006.01), H01P 3/00 (2006.01)
Déposants : NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116 (JP)
Inventeurs : KIKUCHI, Nobuhiro; (JP).
YAMADA, Eiichi; (JP).
OGISO, Yoshihiro; (JP).
OZAKI, Josuke; (JP)
Mandataire : TANI & ABE, P.C.; 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-126863 24.06.2015 JP
Titre (EN) HIGH-FREQUENCY LINE
(FR) LIGNE HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波線路
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a high-frequency line provided with a structure that minimizes impedance fluctuation and generation of excessive loss of electricity in a high-frequency wiring that intersects an optical waveguide. This high-frequency line is a microstrip line configured primarily from a ground electrode (302), a dielectric layer (304), and a signal electrode (305) stacked in the stated order on a SI-InP substrate (301). The optical waveguide core (303) of an InP-type semiconductor intersects the high-frequency line (305) in a transverse arrangement as shown in a transverse cross-sectional view. The width of the signal electrode (305) partially increases along the propagation direction of the high-frequency line in a fixed region that includes the intersection with the optical waveguide. The width of the signal electrode (305) in the microstrip line is increased in part from w1 to w2, and the characteristic impedance is reduced to a greater extent than when the width is uniform at w1. The length l2 of a second signal electrode part (325) that has a width of w2 is set sufficiently shorter than the wavelength of inputted high-frequency electric signals.
(FR)La présente invention porte sur une ligne haute fréquence comportant une structure qui rend minimale la fluctuation d'impédance et la génération de perte excessive d'électricité dans un câblage haute fréquence qui intersecte un guide d'ondes optique. Cette ligne haute fréquence est une ligne en microruban conçue principalement à partir d'une électrode de masse (302), d'une couche diélectrique (304), et d'une électrode de signal (305) empilées dans l'ordre indiqué sur un substrat de SI-InP (301). Le coeur de guide d'ondes optique (303) d'un semi-conducteur de type InP intersecte la ligne haute fréquence (305) en un agencement transversal tel que représenté dans une vue en coupe transversale. La largeur de l'électrode de signal (305) augmente partiellement le long de la direction de propagation de la ligne haute fréquence dans une région fixe qui comprend l'intersection avec le guide d'ondes optique. La largeur de l'électrode de signal (305) dans la ligne en microruban est augmentée en partie de w1 à w2, et l'impédance caractéristique est réduite à une plus grande mesure que lorsque la largeur est uniforme au niveau de w1. La longueur l2 d'une seconde partie d'électrode de signal (325) qui a une largeur de w2 est réglée pour être suffisamment plus courte que la longueur d'onde de signaux électriques haute fréquence mis en entrée.
(JA)本発明は、光導波路と交差する高周波配線においてインピーダンス変動や電気の過剰損失発生を抑制する構造を備えた高周波線路を提供する。高周波線路は、マイクロストリップ線路となっており、SI-InP基板(301)上にグラウンド電極(302)、誘電体層(304)、シグナル電極(305)と順次積層された基本構成となっている。また、横断面図で示したように高周波線路(305)を横切る形でInP系半導体の光導波路コア(303)が交差している。高周波線路の伝搬方向に沿って、光導波路交差を含む一定領域においてシグナル電極(305)の幅を部分的に広くしている。マイクロストリップ線路においてシグナル電極(305)の幅を一部w1からw2に広くし、幅がw1で均一なものより特性インピーダンスを低下させる。この幅w2の第2のシグナル電極部(325)の長さl2は、入力される高周波電気信号の波長に比べ十分短い長さに設定されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)