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1. WO2016207539 - PROCEDE D'ISOLATION DES BORDS D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION

Numéro de publication WO/2016/207539
Date de publication 29.12.2016
N° de la demande internationale PCT/FR2016/051516
Date du dépôt international 21.06.2016
CIB
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 31/0747
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
547Monocrystalline silicon PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Déposants
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]/[FR]
Inventeurs
  • REY, Nicolas
  • AUDINAT, Grégory
  • ROUX, Charles
Mandataires
  • LEBKIRI, Alexandre
Données relatives à la priorité
155593826.06.2015FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR INSULATING THE EDGES OF A HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL
(FR) PROCEDE D'ISOLATION DES BORDS D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method for electrically insulating the edges (E) of a heterojunction photovoltaic cell. The cell comprises a semiconductor layer stack (110) formed of a first conductive layer (104) arranged on the front surface and the side surfaces of the stack, and a second conductive layer (105) arranged on the rear surface and the side surfaces of the stack. The first and second layers are in electrical contact on the side surfaces. A step of mechanically abrading the edges is carried out so as to eliminate contact between the first and second layer on the side surfaces. Each abraded surface forms an acute angle with the front surface of the cell.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'isolation électrique des bords (E) d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction, la cellule comportant un empilement (110) de couches semi-conductrices formé d'une première couche conductrice (104) disposée sur la surface avant et sur les surfaces latérales de l'empilement, et d'une deuxième couche conductrice (105) disposée sur la surface arrière et sur les surfaces latérales de l'empilement, la première et la deuxième couche étant en contact électrique sur les surfaces latérales. Une étape d'abrasion mécanique des bords est réalisée de sorte à éliminer le contact entre la première et la deuxième couche sur les surfaces latérales, chaque bord abrasé formant un angle aigu avec la face avant de la cellule.
Également publié en tant que
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