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1. (WO2016207445) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MOTIF DE MARQUAGE SUR UN SUBSTRAT, PROCÉDÉ D'ÉTALONNAGE, ET APPAREIL LITHOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/207445    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/064892
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 27.06.2016
CIB :
G03F 9/00 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven (NL)
Inventeurs : ABEN, Paul, Cornelis, Hubertus; (NL).
LALBAHADOERSING, Sanjaysingh; (NL).
SCHOONUS, Jurgen, Johannes, Henderikus, Maria; (NL).
DECKERS, David, Frans, Simon; (NL)
Mandataire : BROEKEN, Petrus; (NL)
Données relatives à la priorité :
15174026.3 26.06.2015 EP
Titre (EN) METHOD FOR TRANSFERRING A MARK PATTERN TO A SUBSTRATE, A CALIBRATION METHOD, AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MOTIF DE MARQUAGE SUR UN SUBSTRAT, PROCÉDÉ D'ÉTALONNAGE, ET APPAREIL LITHOGRAPHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method comprising: a) providing a reference substrate with a first mark pattern; b) providing the reference substrate with a first resist layer on the reference substrate, wherein the first resist layer has a minimal radiation dose needed for development of the first resist; c) using a reference patterning device to impart a radiation beam with a second mark pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam; and d) exposing a target portion of the first resist layer of the reference substrate n times to said patterned radiation beam to create exposed areas in the target portion of the first resist layer in accordance with the second mark pattern that have been subjected to an accumulated radiation dose above the minimal radiation dose of the first resist layer, wherein n is an integer with a value of at least two.
(FR)La présente invention concerne un procédé consistant à : a) utiliser un substrat de référence présentant un premier motif de marquage; b) munir le substrat de référence d'une première couche de résine photosensible disposée sur le substrat de référence, ladite première couche de résine photosensible nécessitant l'application d'une dose de rayonnement minimum pour le développement de ladite première résine photosensible; c) utiliser un dispositif de formation de motif de référence pour conférer à un faisceau de rayonnement un second motif de marquage au niveau de sa section transversale afin de former un faisceau de rayonnement à motif; et d) exposer n fois une partie cible de la première couche de résine photosensible du substrat de référence audit faisceau de rayonnement à motif pour créer des zones exposées dans la partie cible de la première couche de résine photosensible en fonction du second motif de marquage qui ont été soumises à une dose de rayonnement accumulée supérieure à la dose de rayonnement minimum de la première couche de résine photosensible, n étant un nombre entier d'une valeur supérieure au égale à deux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)