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1. (WO2016207126) COMMANDE DE COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/207126    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/064240
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 21.06.2016
CIB :
H03K 17/082 (2006.01), H02M 1/08 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01), H03K 17/16 (2006.01)
Déposants : VACON OY [FI/FI]; Runsorintie 7 65380 Vaasa (FI)
Inventeurs : VOLTTI, Pasi; (FI)
Mandataire : WHITING, Gary; (DK)
Données relatives à la priorité :
U20154128 25.06.2015 FI
Titre (EN) CONTROL OF SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) COMMANDE DE COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Arrangement for controlling a voltage signal between gate and emitter terminals (G – E) of a switch type power semiconductor component, such as an IGBT transistor, such that the voltage signal is formed at least partly by means of a resistance and a switch (RGON1 – SGON1, RGOFF1 – SGOFF1) connected in series between an auxiliary voltage (+UG4, -UG4) of a gate controller and the gate terminal (G) of the IGBT. The arrangement is adapted to control the switch (SGON1, SGOFF1) with a high frequency of at least 1 MHz and with a duty cycle adjusted such that the measured rate of change of a collector voltage of the IGBT being controlled is set in accordance with a reference value received from a control unit of the device.
(FR)La présente invention concerne des agencements permettant de commander un signal de tension entre des bornes de grille et d'émetteur (G - E) d'un composant à semi-conducteur de puissance de type commutateur, tel qu'un transistor IGBT, de sorte que le signal de tension soit formé au moins partiellement au moyen d'une résistance et d'un commutateur (RGON1 – SGON1, RGOFF1 – SGOFF1) connectés en série entre une tension auxiliaire (+UG4, -UG4) d'un dispositif de commande de grille et la borne de grille (G) de l'IGBT. L'agencement est adapté de façon à commander le commutateur (SGON1, SGOFF1) avec une fréquence élevée d'au moins 1 MHz et avec un rapport cyclique ajusté de sorte que la vitesse mesurée de changement d'une tension de collecteur IGBT, étant commandée soit déterminée en fonction d'une valeur de référence provenant d'une unité de commande du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)