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1. (WO2016206394) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE MATRICE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/206394    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/074216
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 22.02.2016
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : LI, Liangjian; (CN).
ZUO, Yueping; (CN).
MA, Yinghai; (CN).
XU, Xiaowei; (CN)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510359405.9 25.06.2015 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME, AND FABRICATING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE MATRICE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor is provided. The thin film transistor comprises an active layer (100) on a base substrate (500); an insulating layer (200) over the active layer (100), the insulating layer (200) comprising a source via and a drain via,each of which extending through the insulating layer (200); a source electrode (310) within the source via in contact with the active layer (200); and a drain electrode (320) within the drain via in contact with the active layer (200).
(FR)La présente invention porte sur un transistor à couches minces. Le transistor à couches minces comprend une couche active (100) sur un substrat de base (500); une couche isolante (200) au-dessus de la couche active (100), la couche isolante (200) comprenant un trou d'interconnexion de source et un trou d'interconnexion de drain s'étendant chacun à travers la couche isolante (200); une électrode de source (310) à l'intérieur du trou d'interconnexion de source en contact avec la couche active (200); et une électrode de drain (320) à l'intérieur du trou d'interconnexion de drain en contact avec la couche active (200).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)