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1. (WO2016206206) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/206206    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/090550
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 24.09.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : WANG, Longyan; (CN).
LI, Yongqian; (CN).
GAI, Cuili; (CN).
LI, Quanhu; (CN).
ZHANG, Baoxia; (CN).
YIN, Jingwen; (CN).
CAO, Kun; (CN).
WU, Zhongyuan; (CN).
WANG, Gang; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510354328.8 24.06.2015 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor (TFT) and manufacturing method thereof, array substrate, and display device. The TFT comprises: a gate (2), an active layer (4), a source (5a), and a drain (5b). The source (5a) and the drain (5b) comprise a first electrically conductive layer (52) provided on the active layer (4), and when in a corresponding etchant, an etch rate of a material of the first electrically conductive layer (52) is greater than the etch rate of a material of the active layer (4). The TFT can avoid the problem in which the active layer can be damaged easily in a back channel etch (BCE) process and can reduce the number of patterning processes and reduce cost.
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, un substrat de réseau et un dispositif d'affichage. Le transistor à couches minces comprend : une grille (2), une couche active (4), une source (5a), et un drain (5b). La source (5a) et le drain (5b) comprennent une première couche électroconductrice (52) disposée sur la couche active (4), et lorsqu'elles se trouvent dans un agent de gravure correspondant, la vitesse de gravure d'un matériau de la première couche électroconductrice (52) est supérieure à la vitesse de gravure d'un matériau de la couche active (4). Le transistor à couches minces peut éviter le problème selon lequel la couche active peut être facilement endommagée au cours d'un procédé de gravure de canal arrière (BCE) et peut réduire le nombre de procédés de formation de motifs et réduire les coûts.
(ZH)一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置,该薄膜晶体管包括:栅极(2)、有源层(4)、源极(5a)和漏极(5b),所述源极(5a)和漏极(5b)包括设置于有源层(4)上的第一导电层(52),在对应刻蚀液中,所述第一导电层(52)的材料的刻蚀速率大于有源层(4)的材料的刻蚀速率。该薄膜晶体管可避免有源层在背沟道刻蚀工艺中易被损伤的问题,并且可以减少构图工艺次数、降低成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)