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1. (WO2016206163) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT MATRICIEL ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/206163 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/085282
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 28.07.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1362 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; Shi, Beina No.9-2 Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs : LI, Shan; CN
Mandataire : ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY; Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No.6021 Shennan Blvd, Futian District Shenzhen, Guangdong 518040, CN
Données relatives à la priorité :
201510364687.126.06.2015CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT MATRICIEL ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板
Abrégé :
(EN) A thin film transistor, an array substrate and a liquid crystal display panel. The thin film transistor comprises an active layer (103) wherein the active layer (103) is composed of a nitrogen-doped oxide semiconductor layer (1031) and a nitrogen-free oxide semiconductor layer (1032). The mobility of the thin film transistor can be kept constant by arranging the nitrogen-free oxide semiconductor layer (1032) in the nitrogen-doped thin film transistor active layer, and the reliability of the thin film transistor is improved.
(FR) L’invention concerne un transistor à couches minces, un substrat matriciel et un panneau d’affichage à cristaux liquides. Le transistor à couches minces comprend une couche active (103), la couche active (103) étant constituée d'une couche semi-conductrice à oxyde dopé à l'azote (1031) et d'une couche semi-conductrice à oxyde sans azote (1032). L'invention permet de maintenir constante la mobilité du transistor à couches minces par disposition de la couche semi-conductrice à oxyde sans azote (1032) dans la couche active dopée à l'azote de transistor à couches minces, et d'améliorer la fiabilité du transistor à couches minces.
(ZH) 一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板。该薄膜晶体管,其包括:有源层(103),所述有源层(103)由掺氮氧化物半导体层(1031)和无氮氧化物半导体层(1032)构成。通过在掺氮薄膜晶体管的有源层中设置无氮氧化物半导体层(1032)保持薄膜晶体管的迁移率不变,提升了薄膜晶体管的可靠性。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)