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1. (WO2016206151) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TFT AU POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE, ET STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TFT AU POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/206151    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/084868
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 23.07.2015
CIB :
H01L 21/77 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; No. 9-2 Tangming Road Guangming District of Shenzhen Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Liangfen; (CN)
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510355056.3 24.06.2015 CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR LOW TEMPERATURE POLY-SILICON TFT SUBSTRATE STRUCTURE, AND LOW TEMPERATURE POLY-SILICON TFT SUBSTRATE STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TFT AU POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE, ET STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TFT AU POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE
(ZH) 低温多晶硅TFT基板结构的制作方法及低温多晶硅TFT基板结构
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method for a low temperature poly-silicon TFT substrate structure, and the low temperature poly-silicon TFT substrate structure. According to the manufacturing method for the low temperature poly-silicon TFT substrate structure, patterns, which are regular and consistent in size, of heat-conducting insulation layers are provided below a buffer layer (2) of a drive TFT region, so that the heat-conducting insulation layers absorb heat in the subsequent excimer laser annealing treatment process, thereby quickening the cooling speed of amorphous silicon to form a crystal nucleus, and the crystal nucleus gradually grows in the annealing process; and since the heat-conducting insulation layers (10) have the patterns which are regular and consistent in size, poly-silicon grains formed in the drive TFT region have relatively good consistency, and the grains are relatively large, so that the electrical consistency of a drive TFT is ensured. The low temperature poly-silicon TFT substrate structure comprises the patterns, which are regular and consistent in size, of the heat-conducting insulation layers which are provided below the buffer layer (2) of the drive TFT region; and the poly-silicon grains of the drive TFT region are relatively good in consistency, the grains are relatively large, and the electrical consistency of a drive TFT is relatively good.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure de substrat de transistors à couches minces (TFT) au polysilicium basse température, et sur la structure de substrat de TFT au polysilicium basse température. Selon le procédé de fabrication de la structure de substrat de TFT au polysilicium basse température, des motifs, qui sont réguliers et de taille uniforme, de couches isolantes thermoconductrices sont disposés au-dessous d'une couche tampon (2) d'une zone de TFT d'attaque, de manière que les couches isolantes thermoconductrices absorbent la chaleur dans le processus de traitement de recuit par laser à excimère subséquent, ce qui permet d'accélérer la vitesse de refroidissement du silicium amorphe pour former un noyau cristallin, et le noyau cristallin croît progressivement dans le processus de recuit ; et étant donné que les couches isolantes thermoconductrices (10) portent des motifs qui sont réguliers et de taille uniforme, des grains de polysilicium formés dans la zone de TFT d'attaque présentent une relativement bonne uniformité et les grains sont relativement gros, ce qui permet d'assurer l'uniformité électrique d'un TFT d'attaque. La structure de substrat de TFT au polysilicium basse température comprend les motifs, qui sont réguliers et de taille uniforme, des couches isolantes thermoconductrices qui sont disposés au-dessous de la couche tampon (2) de la zone de TFT d'attaque ; et les grains de polysilicium de la zone de TFT d'attaque présentent une relativement bonne uniformité, les grains sont relativement gros, et l'uniformité électrique d'un TFT d'attaque est relativement bonne.
(ZH)一种低温多晶硅TFT基板结构的制作方法及低温多晶硅TFT基板结构,低温多晶硅TFT基板结构的制作方法通过在驱动TFT区域的缓冲层(2)下方设置有规律且大小一致的导热绝缘层图案,使其在后续准分子激光退火处理过程中吸收热量,从而使非晶硅的冷却速度加快,形成晶核,并在退火过程逐渐生长,由于导热绝缘层(10)具有规律且大小一致的图案,从而使驱动TFT区域形成的多晶硅的晶粒具有较好的一致性,且晶粒相对较大,保证了驱动TFT的电性一致性。低温多晶硅TFT基板结构包括在驱动TFT区域的缓冲层(2)下方设置有规律且大小一致的导热绝缘层图案,驱动TFT区域的多晶硅的晶粒一致性较好,且晶粒相对较大,驱动TFT的电性一致性较好。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)