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1. (WO2016205929) TOPOLOGIE PHYSIQUE POUR CONVERTISSEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/205929    N° de la demande internationale :    PCT/CA2016/050702
Date de publication : 29.12.2016 Date de dépôt international : 16.06.2016
CIB :
H01L 29/73 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H02M 3/155 (2006.01), H02M 7/537 (2006.01)
Déposants : TM4 INC. [CA/CA]; 135 J.-Armand Bombardier Bureau 25 Boucherville, Québec J4B 8P1 (CA)
Inventeurs : CYR, Jean-Marc; (CA).
AMAR, Mohammed; (CA).
EL YACOUBI, Maalainine; (CA).
FLEURY, Pascal; (CA)
Mandataire : PRINCE, Gaetan; (CA)
Données relatives à la priorité :
62/183,437 23.06.2015 US
Titre (EN) PHYSICAL TOPOLOGY FOR A POWER CONVERTER
(FR) TOPOLOGIE PHYSIQUE POUR CONVERTISSEUR DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A physical topology for receiving top and bottom power electronic switches comprises a top collector trace connected to a positive voltage power supply tab and having a connection area for a collector of a top power electronic switch, a bottom emitter trace connected to a negative voltage power supply tab and having a connection area for an emitter of the bottom power electronic switch, and a middle trace connected to a load tab and having a connection area for an emitter of the top power electronic switch and a connection area for a collector of the bottom power electronic switch. Sampling points are provided on the traces for voltages on the emitters of the top and bottom power electronic switches, on the trace for voltage of the collector of the bottom power electronic switch, and on the negative voltage power supply tab. The topology defines parasitic inductances. Sample voltages can be supplied to gate driver references.
(FR)L'invention porte sur une topologie physique destinée à recevoir des interrupteurs électroniques de puissance supérieur et inférieur, qui comprend une trace de collecteur supérieur connectée à une patte de tension positive d'alimentation et présentant une zone de connexion pour un collecteur de l'interrupteur électronique de puissance supérieur, une trace d'émetteur inférieur connectée à une patte de tension négative d'alimentation et présentant une zone de connexion pour un émetteur de l'interrupteur électronique de puissance inférieur, et une trace centrale connectée à une patte de charge et présentant une zone de connexion pour un émetteur de l'interrupteur électronique de puissance supérieur et une zone de connexion pour un collecteur de l'interrupteur électronique de puissance inférieur. Des points d'échantillonnage sont prévus sur les traces pour les tensions des émetteurs des interrupteurs électroniques de puissance supérieur et inférieur, sur la trace pour la tension du collecteur de l'interrupteur électronique de puissance inférieur, et sur la patte de tension négative d'alimentation. La topologie définit des inductances parasites. Des tensions d'échantillonnage peuvent être fournies à des références de circuit d'attaque de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)