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1. (WO2016205777) EXAMEN DE SITE DE DÉFAUT DE PRÉ-COUCHE À L'AIDE DE LA CONCEPTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/205777    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/038315
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 20.06.2016
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventeurs : YATI, Arpit; (IN)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; (US)
Données relatives à la priorité :
3079/CHE/2015 19.06.2015 IN
62/204,328 12.08.2015 US
15/183,919 16.06.2016 US
Titre (EN) PRE-LAYER DEFECT SITE REVIEW USING DESIGN
(FR) EXAMEN DE SITE DE DÉFAUT DE PRÉ-COUCHE À L'AIDE DE LA CONCEPTION
Abrégé : front page image
(EN)A system and method to image a layer of a wafer based on a coordinate of a defect in a pre-layer of the wafer are disclosed. A design file for the current layer can be aligned to the wafer using an image of the current layer. A design file for a previous layer can be aligned to the design file for the current layer.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé permettant d'imager une couche d'une tranche sur la base d'une coordonnée d'un défaut dans une pré-couche de la tranche. Un fichier de conception pour la couche actuelle peut être aligné sur la tranche au moyen d'une image de la couche actuelle. Un fichier de conception pour une couche précédente peut être aligné sur le fichier de conception pour la couche actuelle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)