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1. (WO2016205553) COMMUTATEUR DE FRÉQUENCES À HAUTE PERFORMANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/205553    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/037921
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 16.06.2016
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H03K 17/16 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Déposants : TAGORE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 5 East College Drive, Suite 200 Arlington Heights, IL 60004 (US).
SHAH, Manish, N. [US/US]; (US).
DAS, Amitava [US/US]; (US)
Inventeurs : SHAH, Manish, N.; (US).
DAS, Amitava; (US)
Mandataire : GIBBONS, Jon, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/180,100 16.06.2015 US
62/180,117 16.06.2015 US
Titre (EN) HIGH PERFORMANCE RADIO FREQUENCY SWITCH
(FR) COMMUTATEUR DE FRÉQUENCES À HAUTE PERFORMANCE
Abrégé : front page image
(EN)A HEMT cell includes two or more gallium nitride ("GaN") high-electron-mobility transistor ("HEMT") devices electrically connected in series with each other. The HEMT cell includes a HEMT cell drain, a HEMT cell source, and a HEMT cell gate. The HEMT cell drain connects with the drain of a first GaN HEMT device in the series. The HEMT cell source connects with the source of a last GaN HEMT device in the series. The HEMT cell gate connects to a first two-dimensional electron gas ("2DEG") gate bias resistor that connects with the gate of the first GaN HEMT device. The HEMT cell gate connects to a second 2DEG gate bias resistor that connects with the gate of the second GaN HEMT device. The first and second 2DEG gate bias resistors are located in a 2DEG layer of the HEMT cell. A multi-throw RF switch is also disclosed.
(FR)La présente invention concerne une cellule de HEMT comprenant deux dispositifs transistors à haute mobilité d'électrons (« HEMT ») au nitrure de gallium (« GaN ») connectés électriquement en série l'un avec l'autre. La cellule de HEMT comprend un drain de cellule de HEMT, une source de cellule de HEMT et une grille de cellule de HEMT. Le drain de cellule de HEMT est connecté au drain d'un premier dispositif HEMT au GaN de la connexion série. La source de cellule de HEMT est connectée à la source d'un dernier dispositif HEMT au GaN de la connexion série. La grille de cellule de HEMT est connectée à une première résistance de polarisation de grille à gaz d'électrons bidimensionnel (« 2DEG ») qui est connectée à la grille du premier dispositif HEMT au GaN. La grille de cellule de HEMT est connectée à une seconde résistance de polarisation de grille à 2DEG qui est connectée à la grille du second dispositif HEMT au GaN. Les première et seconde résistances de polarisation de grille à 2DEG sont situées dans une couche de 2DEG de la cellule de HEMT. L'invention concerne également un commutateur de fréquences multidirectionnel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)