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1. (WO2016205196) COMPOSÉS D'HALIDOSILANE ET COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS DE DÉPÔT DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM LES UTILISANT

Pub. No.:    WO/2016/205196    International Application No.:    PCT/US2016/037370
Publication Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Jun 15 01:59:59 CEST 2016
IPC: C23C 16/455
C23C 14/10
C23C 14/06
C23C 16/24
C23C 16/34
C23C 16/40
C23C 16/36
C07F 7/02
Applicants: VERSUM MATERIALS US, LLC
Inventors: LEI, Xinjian
LI, Jianheng
LEHMANN, John, Francis
COOPER, Alan, Charles
Title: COMPOSÉS D'HALIDOSILANE ET COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS DE DÉPÔT DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM LES UTILISANT
Abstract:
Cette invention concerne des composés d'halidosilane, des procédés de synthèse desdits composés d'halidosilane, des compositions comprenant des précurseurs d'halidosilane, et des procédés de dépôt de films contenant du silicium (p. ex., films en silicium, silicium amorphe, oxyde de silicium, nitrure de silicium, carbure de silicium, oxynitrure de silicium, carbonitrure de silicium, films en silicium dopé, et films en nitrure de silicium dopé par un métal) utilisant lesdits précurseurs d'halidosilane. Des exemples des composés précurseurs d'halidosilane ci-décrits comprennent, entre autres, le monochlorodisilane (MCDS), le monobromodisilane (MBDS), le monoiododisilane (MIDS), le monochlorotrisilane (MCTS), le monobromotrisilane (MBTS), et le monoiodotrisilane (MITS). Des procédés de dépôt de films contenant du silicium tels que, entre autres, des films en silicium, silicium amorphe, oxyde de silicium, nitrure de silicium, carbure de silicium, oxynitrure de silicium, carbonitrure de silicium, des films en silicium dopé, et des films en nitrure de silicium dopé par un métal à une ou plusieurs températures de dépôt d'environ 500°C ou moins sont en outre décrits.