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1. (WO2016204938) CIRCUITS INTÉGRÉS (CI) À SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT UN MATÉRIAU LOCALISÉ À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE (À FAIBLE K) DANS UN MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE INTERCOUCHE (ILD) POUR UNE MEILLEURE PERFORMANCE DE RAPIDITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/204938    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/033709
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 23.05.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.04.2017    
CIB :
H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : YANG, Haining; (US).
CHEN, Xiangdong; (US)
Mandataire : TERRANOVA, Steven, N.; (US).
DAVENPORT, Taylor, M.; (US).
DAVENPORT, Taylor, M.; Withrow & Terranova, PLLC 106 Pinedale Springs Way Cary, North Carolina 27511 (US)
Données relatives à la priorité :
14/743,143 18.06.2015 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING LOCALIZED LOW DIELECTRIC CONSTANT (LOW-K) MATERIAL IN INTER-LAYER DIELECTRIC (ILD) MATERIAL FOR IMPROVED SPEED PERFORMANCE
(FR) CIRCUITS INTÉGRÉS (CI) À SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT UN MATÉRIAU LOCALISÉ À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE (À FAIBLE K) DANS UN MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE INTERCOUCHE (ILD) POUR UNE MEILLEURE PERFORMANCE DE RAPIDITÉ
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance are disclosed. To speed up performance of selected circuits in an IC that would otherwise lower overall speed performance of the IC, low-K dielectric material is employed during IC fabrication. The low-K dielectric material is provided in selected, localized areas of ILD material in which selected circuits are disposed. In this manner, the IC will experience an overall increased speed performance during operation, because circuit components and/or circuit element interconnects of selected circuit(s) that are disposed in the low-K ILD material will experience reduced signal delay. Also, by use of low-K dielectric material in only selected, localized areas of ILD material of selected circuits, mechanical and/or thermal stability concern issues that would arise from use of low-K dielectric material in all of the ILD material in the IC are avoided.
(FR)L'invention concerne des circuits intégrés (CI) à semi-conducteurs utilisant un matériau localisé à faible constante diélectrique (à faible K) dans un matériau diélectrique intercouche (ILD) pour de meilleures performances de rapidité. Pour accélérer les performances des circuits sélectionnés dans un circuit intégré, qui pourraient, par ailleurs, réduire globalement les performances de rapidité du circuit intégré, un matériau diélectrique à faible K est utilisé pendant la fabrication des circuits intégrés. Le matériau diélectrique à faible K est disposé dans des zones localisées sélectionnées du matériau ILD dans lequel sont disposés des circuits sélectionnés. De cette manière, le circuit intégré connaîtra des performances de rapidité globalement accrues pendant le fonctionnement parce que des composants de circuit et/ou des interconnexions d'éléments de circuit du ou des circuits sélectionnés qui sont disposés dans le matériau ILD à faible K, subiront un retard de signal. De même, l'utilisation d'un matériau diélectrique à faible K dans les seules zones localisées sélectionnées du matériau ILD des circuits sélectionnés permet d'éviter des problèmes concernant la stabilité mécanique et/ou thermique qui pourraient survenir de l'utilisation d'un matériau diélectrique à faible K dans tout le matériau ILD du circuit intégré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)