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1. (WO2016204920) PROCÉDÉ DE MÉTROLOGIE IN-SITU POUR LA MESURE D'ÉPAISSEUR LORS DE PROCESSUS DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/204920 N° de la demande internationale : PCT/US2016/033053
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 18.05.2016
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : PAUL, Khokan C.; US
BUDIARTO, Edward; US
EGAN, Todd; US
VAEZ-IRAVANI, Mehdi; US
LEE, Jeongmin; US
DU BOIS, Dale R.; US
LEE, Terrance Y.; US
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; US
Données relatives à la priorité :
62/181,68918.06.2015US
62/222,30823.09.2015US
Titre (EN) IN-SITU METROLOGY METHOD FOR THICKNESS MEASUREMENT DURING PECVD PROCESSES
(FR) PROCÉDÉ DE MÉTROLOGIE IN-SITU POUR LA MESURE D'ÉPAISSEUR LORS DE PROCESSUS DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA
Abrégé :
(EN) Embodiments of the present disclosure relate to apparatus and methods for forming films having uniformity of thickness on substrates. Embodiments of the present disclosure may be used to measure thickness or other properties of films being deposited on a substrate without knowing beforehand the surface properties of the substrate. Embodiments of the present disclosure may be used to measure thickness or other properties of a plurality of layers being formed. For example, embodiments of the present disclosure may be used in measuring thickness of vertical memory stacks.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention portent sur des appareils et des procédés de formation de films ayant une uniformité d'épaisseur sur des substrats. Des modes de réalisation de la présente invention peuvent être utilisés pour mesurer l'épaisseur ou d'autres propriétés de films qui sont déposés sur un substrat sans connaître à l'avance les propriétés de surface du substrat. Des modes de réalisation de la présente invention peuvent être utilisés pour mesurer l'épaisseur ou d'autres propriétés d'une pluralité de couches qui sont formées. Par exemple, des modes de réalisation de la présente invention peuvent être utilisés dans la mesure de l'épaisseur de paquets de mémoires verticaux.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)