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1. (WO2016204774) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À CHAPEAU

Pub. No.:    WO/2016/204774    International Application No.:    PCT/US2015/036555
Publication Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Sat Jun 20 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 43/02
H01L 43/08
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: LAMBORN, Daniel R.
GOLONZKA, Oleg
WIEGAND, Christopher J.
HEIL, Philip E.
RAHMAN, MD Tofizur
CASTELLANO, Rebecca J.
BANSAL, Tarun
Title: MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À CHAPEAU
Abstract:
Un mode de réalisation concerne un appareil comprenant : une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) entre des première et deuxième électrodes, comprenant une couche diélectrique entre des couches fixe et libre; un film diélectrique en contact direct avec des parois latérales de la première électrode; et une couche métallique couplée aux parois latérales par l'intermédiaire du film diélectrique. Selon l'invention (a) un axe vertical croise les première et deuxième électrodes et la MTJ, mais pas la couche métallique, (b) un premier axe horizontal croise la couche métallique, le film diélectrique et la première électrode; et (c) un deuxième axe horizontal, entre le premier axe horizontal et la MTJ, croise le film diélectrique et la première électrode, mais pas la couche formant chapeau. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation.