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1. (WO2016204225) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE PILOTAGE DE DISPOSITIF DE CAPTURE D’IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS, ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2016/204225 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/067932
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 16.06.2016
CIB :
H04N 5/341 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/359 (2011.01) ,H04N 5/361 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : BRILLNICS INC.; Floor 4, Willow House, Cricket Square, Grand Cayman KY1-1112, KY
Inventeurs : YAMAMURA, Michio; JP
MORI, Kazuya; JP
TANAKA, Shunsuke; JP
Mandataire : SATOH, TAKAHISA; Sohshin International Patent Office, SS building 2F, 4-2, Nishi-Shinbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité :
2015-12358019.06.2015JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF DRIVING SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE PILOTAGE DE DISPOSITIF DE CAPTURE D’IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS, ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器
Abrégé : front page image
(EN) A solid-state image capturing device 10 comprises: a photodiode PD, which is an opto-electrical conversion element that accumulates electric charge generated by opto-electrical conversion during an accumulation period (exposure period); a transfer transistor TG-Tr which serves as an electric charge transfer gate portion with which charge accumulated by the photodiode can be transferred during a transfer period; and a state control unit 70 which, during the accumulation period (exposure period), controls the state below the gate of the transfer transistor TG-Tr to be a mixture of a state in which accumulation is occurring and a state in which accumulation is not occurring. By this means, it is possible to suppress a dark current without losing the function of discharging surplus electric current during accumulation.
(FR) L’invention concerne un dispositif de capture d’image à semi-conducteurs (10) qui comprend : une photodiode PD, qui est un élément de conversion opto-électrique qui accumule une charge électrique générée par une conversion opto-électrique durant une période d’accumulation (période d’exposition) ; un transistor de transfert TG-Tr qui sert de partie de grille de transfert de charge électrique au moyen de laquelle la charge accumulée par la photodiode peut être transférée durant une période de transfert ; et une unité de commande d’état (70) qui, durant la période d’accumulation (période d’exposition), commande l’état au-dessous de la grille du transistor de transfert TG-Tr de façon à ce que ce dernier soit un mélange d’un état dans lequel une accumulation se produit et un état dans lequel une accumulation ne se produit pas. De cette manière, il est possible de supprimer un courant sombre sans perdre la fonction de décharge d’un courant électrique en excès durant l’accumulation.
(JA) 固体撮像装置10は、蓄積期間(露光期間)に光電変換により生成した電荷を蓄積する光電変換素子であるフォトダイオードPDと、フォトダイオードに蓄積された電荷を転送期間に転送可能な電荷転送ゲート部としての転送トランジスタTG-Trと、蓄積期間(露光期間)に、転送トランジスタTG-Trのゲート下の状態をアキュムレーションしている状態とアキュムレーションしていない状態とが混在するように制御する状態制御部70とを有する。これにより、蓄積時の余剰電荷を排出する機能を損なうことなく、暗電流を抑制することが可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)