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1. (WO2016204138) FIL DE CONNEXION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/204138 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/067624
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 14.06.2016
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
日鉄住金マイクロメタル株式会社 NIPPON MICROMETAL CORPORATION [JP/JP]; 埼玉県入間市大字狭山ヶ原158番地1 158-1 Oaza Sayamagahara, Iruma-shi, Saitama 3580032, JP
新日鉄住金マテリアルズ株式会社 NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 東京都中央区銀座七丁目16番3号 16-3, Ginza 7-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
Inventeurs :
山田 隆 YAMADA, Takashi; JP
小田 大造 ODA, Daizo; JP
榛原 照男 HAIBARA, Teruo; JP
大石 良 OISHI, Ryo; JP
齋藤 和之 SAITO, Kazuyuki; JP
宇野 智裕 UNO, Tomohiro; JP
Mandataire :
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
Données relatives à la priorité :
2015-12050915.06.2015JP
PCT/JP2015/07086122.07.2015JP
Titre (EN) BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FIL DE CONNEXION POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置用ボンディングワイヤ
Abrégé :
(EN) Provided is a bonding wire for a semiconductor device, said bonding wire having a Cu alloy core and a Pd coating layer formed on the surface of the Cu alloy core, and being characterized by including an element that imparts connection reliability in a high-temperature environment, wherein the proof stress ratio, as defined by formula (1), is 1.1-1.6. (1) Proof stress ratio = maximum proof stress / 0.2% proof stress.
(FR) L'invention concerne un fil de connexion pour un dispositif à semi-conducteur, ledit fil de connexion ayant une âme en alliage de Cu et une couche de revêtement de Pd formée sur la surface de l'âme en alliage de Cu, et étant caractérisé en ce qu'il comprend un élément qui confère une fiabilité de connexion dans un environnement à haute température, le rapport de limite conventionnelle d'élasticité, tel que défini par la formule (1), étant de 1,1 à 1,6. (1) Rapport de limite conventionnelle d'élasticité = limite conventionnelle d'élasticité maximale/limite conventionnelle d'élasticité 0,2 %.
(JA) Cu合金芯材と、前記Cu合金芯材の表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記ボンディングワイヤが高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含み、下記(1)式で定義する耐力比が1.1~1.6であることを特徴とする。 耐力比=最大耐力/0.2%耐力 (1)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)