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1. (WO2016204112) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/204112    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/067510
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 13.06.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : SAITOH, Yu; (JP).
HIYOSHI, Toru; (JP).
TSUNO, Takashi; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-123052 18.06.2015 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)According to the present invention, a gate-insulating film contacts a first drift region at a bottom section and contacts a second drift region, a second impurities region, and a third impurities region at side sections. A profile that indicates the relationship, within a region that is constituted by the second impurities region, the second drift region, and the first drift region, between positions in a direction that is orthogonal to a second main surface and the absolute value of the difference between the concentration of a first conductive impurity and the concentration of a second conductive impurity has a first minimum value and a second minimum value. The position that indicates the first minimum value is between the position of a third main surface and the position of a fourth main surface. The position that indicates the second minimum value is between the position of a first main surface and the position of the fourth main surface.
(FR)Selon la présente invention, un film d'isolation de grille entre en contact avec une première région de dérive au niveau d'une section inférieure et entre en contact avec une seconde région de dérive, une deuxième région d'impuretés, et une troisième région d'impuretés au niveau de sections latérales. Un profil qui indique la relation, à l'intérieur d'une région qui est constituée par la deuxième région d'impuretés, la seconde région de dérive, et la première région de dérive, entre des positions dans une direction qui est orthogonale à une deuxième surface principale et la valeur absolue de la différence entre la concentration d'une première impureté conductrice et la concentration d'une seconde impureté conductrice a une première valeur minimale et une seconde valeur minimale. La position qui indique la première valeur minimale est entre la position d'une troisième surface principale et la position d'une quatrième surface principale. La position qui indique la seconde valeur minimale est entre la position d'une première surface principale et la position de la quatrième surface principale.
(JA)ゲート絶縁膜は、底部において第1ドリフト領域と接し、かつ側部において第2ドリフト領域と、第2不純物領域と、第3不純物領域とに接する。第2不純物領域と第2ドリフト領域と第1ドリフト領域とにより構成される領域において、第2主面に対して垂直な方向の位置と、第1導電型不純物の濃度と第2導電型不純物の濃度との差の絶対値との関係を示すプロファイルは、第1極小値と、第2極小値とを有する。第1極小値を示す位置は、第3主面の位置と第4主面の位置との間にある。第2極小値を示す位置は、第1主面の位置と第4主面の位置との間にある。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)