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1. (WO2016204064) PROCÉDÉ DE DISSIPATION DE CHALEUR DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/204064 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/067207
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 09.06.2016
CIB :
H05K 7/20 (2006.01) ,B32B 7/02 (2006.01) ,B32B 27/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
7
Détails de construction communs à différents types d'appareils électriques
20
Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
7
Produits stratifiés caractérisés par la relation entre les couches, c. à d. produits comprenant essentiellement des couches ayant des propriétés physiques différentes, ou produits caractérisés par la jonction entre couches
02
en ce qui concerne les propriétés physiques, p.ex. la dureté
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
27
Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
Déposants :
株式会社ラヴォックス LOVEOX CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都板橋区小豆沢1丁目23番2号 23-2, Azusawa 1-chome, Itabashi-ku, Tokyo 1740051, JP
信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
西尾 幸治 NISHIO, Koji; JP
牛嶋 渉 USHIJIMA, Wataru; JP
住吉 良一 SUMIYOSHI, Ryoichi; JP
石原 靖久 ISHIHARA, Yasuhisa; JP
Mandataire :
きさらぎ国際特許業務法人 KISARAGI ASSOCIATES; 東京都千代田区二番町5番地6 あいおいニッセイ同和損保二番町ビル8階 Aioi Nissay Dowa Sonpo Nibancho Bldg. 8F, 5-6, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084, JP
Données relatives à la priorité :
2015-12054115.06.2015JP
Titre (EN) DEVICE HEAT DISSIPATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DISSIPATION DE CHALEUR DE DISPOSITIF
(JA) 機器の放熱方法
Abrégé :
(EN) According to this heat dissipation method, a first heat dissipation sheet is affixed to an inner wall of a housing wall surface, and a second heat dissipation sheet is affixed to an outer wall of the housing wall surface in such a manner as to oppose the first heat dissipation sheet via the wall surface. The first and second heat dissipation sheets are provided with a heat conduction layer, a heat radiation layer adjacent to a first surface of the heat conduction layer, and a base portion adjacent to a second surface of the heat conduction layer. The base portion includes a heat conductive silicone resin having hardness of not more than 40 according to Asker C.
(FR) Selon ce procédé de dissipation de chaleur, une première feuille de dissipation de chaleur est fixée à une paroi intérieure d'une surface de paroi de boîtier et une seconde feuille de dissipation de chaleur est fixée à une paroi extérieure de la surface de paroi de boîtier de manière à s'opposer à la première feuille de dissipation de chaleur par l'intermédiaire de la surface de paroi. Les première et seconde feuilles de dissipation de chaleur sont pourvues d'une couche de conduction de chaleur, d'une couche de rayonnement de chaleur adjacente à une première surface de la couche de conduction de chaleur, et d'une partie base adjacente à une seconde surface de la couche de conduction de chaleur. La partie base comprend une résine de silicone thermoconductrice ayant une dureté de pas plus de 40 selon Asker C.
(JA) この放熱方法では、筐体の壁面の内壁に第1の放熱シートが貼付され、筐体の壁面の外壁には、第1の放熱シートと壁面を挟んで対向するように第2の放熱シートを貼付される。第1及び第2の放熱シートは、熱伝導層と、前記熱伝導層の第1の面に隣接する熱放射層と、前記熱伝導層の第2の面に隣接する基部とを備える。基部は、硬度がアスカーCで40以下である熱伝導性シリコーン樹脂を含む。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)