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1. (WO2016204042) SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE NIOBATE DE LITHIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2016/204042 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/067069
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 08.06.2016
CIB :
C30B 29/30 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/41 (2013.01)
Déposants : SUMITOMO METAL MINING CO., LTD[JP/JP]; 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716, JP
Inventeurs : KAJIGAYA, Tomio; JP
Mandataire : UEDA, Shozo; JP
Données relatives à la priorité :
2015-12318918.06.2015JP
Titre (EN) LITHIUM NIOBATE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE NIOBATE DE LITHIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a lithium niobate (LN) substrate with minimal in-plane distribution of volume resistivity, and a method for producing same, with which it is easy to control processing conditions with respect to temperature and time, etc. [Solution] This method of producing an LN substrate using an LN single crystal grown using the Czochraski method is characterized in that an LN single crystal machined into a substrate form and having a Fe concentration in the single crystal that exceeds 1000 ppm by mass but does not exceed 2000 ppm by mass, is immersed in Al powder or a mixed powder of Al and Al2O3, and subjected to heat treatment at a temperature of 550°C to 600°C to form a lithium niobate single crystal substrate having volume resistivity controlled within the range of 1 x 108Ω·cm to 1 x 1010Ω·cm.
(FR) Le problème à résoudre par la présente invention est de préparer un substrat en niobate de lithium (LN) avec une distribution minimale dans le plan de la résistivité volumique, et de fournir un procédé pour le produire, avec lequel il est facile de contrôler les conditions de transformation en ce qui concerne la température et le temps, etc. La solution selon l’invention consiste en un procédé de production d'un substrat en LN en utilisant un monocristal en LN cultivé en utilisant le procédé de Czochraski, caractérisé en ce qu’un monocristal de LN usiné en une forme de substrat et présentant une concentration en Fe dans le monocristal qui excède 1 000 ppm en masse mais n’excède pas 2 000 ppm en masse est immergé dans de la poudre d’Al ou une poudre mixte d’Al et d’Al2O3, et est soumis à un traitement thermique à une température de 550 °C à 600 °C pour former un substrat monocristallin de niobate de lithium présentant une résistivité volumique régulée dans la plage de 1 x 108Ω•cm à 1 x 1010Ω•cm.
(JA) 【課題】温度や時間等に係る処理条件の管理が容易で、体積抵抗値の面内分布が極めて少ないニオブ酸リチウム(LN)基板とその製造方法を提供する。 【解決手段】チョコラルスキー法で育成したLN単結晶を用いてLN基板を製造する方法であり、単結晶中のFe濃度が1000質量ppmを超え、2000質量ppm以下で、かつ、基板の状態に加工されたLN単結晶を、Al粉末若しくはAlとAl23の混合粉末に埋め込み、550℃以上、600℃以下の温度で熱処理して体積抵抗率が1×108Ω・cm以上、1×1010Ω・cm以下の範囲に制御されたニオブ酸リチウム単結晶基板を製造することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)