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1. (WO2016204022) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/204022    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/066895
Date de publication : 22.12.2016 Date de dépôt international : 07.06.2016
CIB :
C23C 14/24 (2006.01), B05D 1/32 (2006.01), B05D 3/06 (2006.01), C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/12 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
Inventeurs : KATO, Yuko; (JP).
YAJIMA, Takahiro; (JP).
TOOYAMA, Yoshihiro; (JP).
AODAI, Makoto; (JP).
SEI, Kensuke; (JP).
TAKAHASHI, Hirohisa; (JP).
SAITOU, Kazuya; (JP)
Mandataire : OMORI, Junichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-121201 16.06.2015 JP
Titre (EN) FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法及び成膜装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a film forming method and film forming device whereby a resin layer having the desired film properties and pattern shape can be stably formed. The film forming method pertaining to an embodiment of the present invention comprises cooling a substrate W to a first temperature or lower in a chamber in which a reduced-pressure atmosphere is maintained, supplying a starting material gas G which includes an energy-ray-curing resin and can be liquefied at the first temperature or below to a surface of the substrate W from a gas supply unit 13, placing a mask member 16 which has a predetermined open pattern and is maintained at a second temperature higher than the first temperature so as to face the surface of the substrate W, and irradiating the surface of the substrate W with energy rays.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif de formation de film permettant de former de manière stable une couche de résine ayant les propriétés de film et la forme de motif désirées. Le procédé de formation de film d'après un mode de réalisation de la présente invention comprend les étapes consistant à : refroidir un substrat W jusqu'à une température inférieure ou égale à une première température dans une chambre dans laquelle une atmosphère à pression réduite est maintenue ; délivrer à partir d'une unité de délivrance de gaz (13) un gaz de départ G qui contient une résine à polymérisation par rayons d'énergie et qui peut être liquéfié à une température inférieure ou égale à la première température sur une surface du substrat W ; placer un élément de masque (16) qui comporte un motif ouvert prédéterminé et qui est maintenu à une seconde température supérieure à la première de manière à l'orienter vers la surface du substrat W ; et diffuser les rayons d'énergie sur la surface du substrat W.
(JA)所望とする膜質及びパターン形状を有する樹脂層を安定に形成することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。 本発明の一形態に係る成膜方法は、減圧雰囲気に維持されたチャンバ内で、基板Wを第1の温度以下に冷却し、エネルギ線硬化樹脂を含み上記第1の温度以下で液化可能な原料ガスGを、ガス供給部13から基板Wの表面に供給し、上記第1の温度よりも高い第2の温度に維持され所定の開口パターンを有するマスク部材16を、基板Wの表面に対向して配置し、基板Wの表面にエネルギ線を照射する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)